近日，日本市場研究公司富士經(jīng)濟(jì)發(fā)表了一份研究報(bào)告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術(shù)趨勢》，總結(jié)了功率半導(dǎo)體晶圓市場的研究結(jié)果。

報(bào)告稱，2024年功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將比上年增長23.4%，達(dá)到2813億日元。雖然硅功率半導(dǎo)體硅片市場因庫存調(diào)整而較上年下滑，但由于各大廠商產(chǎn)能增加，SiC裸片銷量預(yù)計(jì)同比增長56.9%，超過硅片市場。

此外，從2025年起，隨著功率半導(dǎo)體需求的不斷增長，市場預(yù)計(jì)將擴(kuò)大。特別是，由于汽車電動(dòng)化帶來的需求增加，SiC裸片有望成為長期市場驅(qū)動(dòng)力，硅片也有望擺脫產(chǎn)量調(diào)整的影響。此外，我們還可以期待GaN晶圓直徑的增加以及氧化鎵晶圓開始量產(chǎn)等附加內(nèi)容，預(yù)計(jì)2035年市場規(guī)模將擴(kuò)大至10,763億日元，是2023年的4.7倍。

盡管功率半導(dǎo)體市場尚未興起，但金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等下一代技術(shù)正在開發(fā)中，其實(shí)際應(yīng)用值得期待。

報(bào)告指出，近年來，隨著功率半導(dǎo)體需求的增加，為了確保供應(yīng)量，晶圓的直徑不斷增加。除了轉(zhuǎn)向300mm硅晶圓外，SiC裸晶圓市場預(yù)計(jì)從2025年起8英寸（200mm）晶圓將真正起飛。此外，正在開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的 6 英寸（150 毫米）GaN 晶圓和氧化鎵晶圓。

不過，目前硅功率半導(dǎo)體大部分由8英寸晶圓供貨，預(yù)計(jì)未來8英寸晶圓占比仍將超過60%（基于晶圓數(shù)量）。 300mm晶圓越來越多地用于IGBT和MOSFET，隨著汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域需求的增加，其采用預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增加，未來除某些器件外，8英寸和300mm晶圓將分開。是期待。

此外，目前SiC裸片以6英寸為主，預(yù)計(jì)這種情況還將持續(xù)一段時(shí)間，但8英寸晶圓市場預(yù)計(jì)從2025年開始形成，部分樣品出貨已經(jīng)開始預(yù)計(jì)到2035年，其將占所有 SiC 裸晶圓（以晶圓數(shù)量計(jì)）的13.3%。然而，傳統(tǒng)4英寸晶圓預(yù)計(jì)僅在中國和日本等部分地區(qū)部署。預(yù)計(jì)未來市場規(guī)模將會(huì)縮小。