2024年7月10日，CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)SiC功率器件與模塊工作組第二次會(huì)議在上海成功召開，本次會(huì)議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)主辦，復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心協(xié)辦，匯集了來(lái)自科研院所、器件企業(yè)、測(cè)試設(shè)備企業(yè)、測(cè)試機(jī)構(gòu)、科研平臺(tái)等單位代表80余人參加會(huì)議。

本次會(huì)議由CASAS SiC功率器件與模塊工作組組長(zhǎng)、忱芯科技(上海)有限公司總經(jīng)理毛賽君主持。本次會(huì)議，牽頭起草單位分享了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)反偏DRB/DH3RB試驗(yàn)、感性負(fù)載SiC功率模塊老化篩選試驗(yàn)、SiC MOSFET柵極電荷測(cè)試、開關(guān)過(guò)程閾值電壓測(cè)試驗(yàn)證等數(shù)據(jù)，與會(huì)代表充分討論了正在起草的SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)草案，探討了測(cè)試比對(duì)、新標(biāo)準(zhǔn)提案等工作。下一步，工作組將推動(dòng)修改形成征求意見稿，面向所有聯(lián)盟成員單位征求意見。