天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司申請一項名為“MEMS 器件及其制備方法“，公開號 CN202410419013.6，申請日期為 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，本申請實施例涉及一種 MEMS 器件及其制備方法，包括：提供襯底，襯底包括背腔預設(shè)區(qū)；在襯底上形成第一犧牲層；形成貫穿第一犧牲層的開口，開口暴露出襯底的部分區(qū)域，部分區(qū)域位于背腔預設(shè)區(qū)外周；形成連接結(jié)構(gòu)和振膜，連接結(jié)構(gòu)填充于開口內(nèi)并與襯底直接接觸，振膜位于第一犧牲層上并與連接結(jié)構(gòu)直接接觸；去除部分襯底，以在背腔預設(shè)區(qū)形成背腔；以及，去除至少部分第一犧牲層，以形成下空腔，下空腔暴露振膜的朝向襯底的表面，且與背腔連通；其中，襯底的導電類型、連接結(jié)構(gòu)的導電類型、以及振膜的導電類型一致，以使襯底與振膜能夠?qū)?。由此，去除犧牲層過程中產(chǎn)生的自由電荷在進入振膜后，可以通過連接結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至襯底中，避免大量自由電荷堆積在振膜中，減少電化學反應(yīng)的發(fā)生，減少對振膜的損傷。

來源：金融界