自安世半導體(Nexperia)官網(wǎng)獲悉，當?shù)貢r間6月27日，安世半導體宣布計劃投資2億美元，用于在德國漢堡市開發(fā)以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的下一代寬禁帶半導體(WBG)，并在漢堡工廠(Hamburg site)建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。

與此同時，硅(Si)二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能將會增加。該項投資是在該生產(chǎn)基地成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟事務(wù)部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。

聲明中稱，為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，安世半導體將從2024年6月開始在德國開發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)，這意味著安世半導體正在為電氣化和數(shù)字化領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)提供支持。

安世半導體首席運營官兼董事總經(jīng)理Achim Kempe表示，這項投資加強了安世作為節(jié)能半導體領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。未來，漢堡工廠將覆蓋全系下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，同時仍然是最大的小信號二極管和晶體管工廠。安世將繼續(xù)致力于為標準應(yīng)用和功率密集型應(yīng)用生產(chǎn)高質(zhì)量、低成本的半導體。

2024年6月，安世半導體首條高壓GaN d-mode晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)，下一個里程碑將是SiC MOSFET和低壓GaN HEMT 8英寸現(xiàn)代化高性價比生產(chǎn)線，這些生產(chǎn)線將在漢堡工廠未來兩年內(nèi)建成。該投資將有助于實現(xiàn)漢堡工廠現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施的自動化，并擴大硅生產(chǎn)能力。隨著潔凈室面積的擴大，新的研發(fā)實驗室正在建設(shè)中，以繼續(xù)確保未來從研究到生產(chǎn)的無縫過渡。