7月24日，湖南三安半導(dǎo)體迎來(lái)了又一重要里程碑——芯片二廠M6B設(shè)備的入場(chǎng)儀式。在這個(gè)值得紀(jì)念的日子里，電力電子事業(yè)部總經(jīng)理、湖南三安總經(jīng)理江協(xié)龍先生與公司的高管團(tuán)隊(duì)、各部門(mén)主管以及核心員工齊聚一堂，共同見(jiàn)證了這一激動(dòng)人心的時(shí)刻。

江協(xié)龍先生在儀式上發(fā)表講話，他指出，M6B的成功建成和投產(chǎn)不僅是公司發(fā)展史上的一個(gè)標(biāo)志性事件，更是一個(gè)嶄新的起點(diǎn)。站在這個(gè)新的起點(diǎn)上，湖南三安將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的發(fā)展理念，不斷優(yōu)化和提升生產(chǎn)能力。在擴(kuò)大產(chǎn)能的同時(shí)，公司也將致力于提高產(chǎn)品質(zhì)量，力爭(zhēng)打造國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的8英寸SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈。

這一舉措預(yù)示著湖南三安SiC項(xiàng)目二期工程的即將全面貫通，為加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局、實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線的正式投產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著M6B設(shè)備的入場(chǎng)，湖南三安將進(jìn)一步提升其在SiC領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高性能SiC芯片的不斷增長(zhǎng)的需求。

三安團(tuán)隊(duì)在M6B大樓前為進(jìn)機(jī)剪彩

湖南三安半導(dǎo)體的SiC項(xiàng)目總投資高達(dá)160億人民幣，目標(biāo)是構(gòu)建一個(gè)兼容6英寸和8英寸SiC晶圓的全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺(tái)。一旦項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)，公司將擁有年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸SiC晶圓和48萬(wàn)片8英寸SiC晶圓的強(qiáng)大制造能力。

M6B作為該項(xiàng)目的關(guān)鍵組成部分，其投產(chǎn)情況自然成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。預(yù)計(jì)到今年12月，M6B將實(shí)現(xiàn)設(shè)備點(diǎn)亮和通線，屆時(shí)8英寸SiC芯片將正式投產(chǎn)，標(biāo)志著湖南三安半導(dǎo)體將正式邁入8英寸SiC垂直整合制造商的行列。

未來(lái)，三安將充分發(fā)揮自身優(yōu)勢(shì)，加大研發(fā)投入，提高產(chǎn)能，共同推動(dòng)8吋SiC芯片領(lǐng)域的發(fā)展。在市場(chǎng)拓展利好消息的加持下，三安有望加速8吋SiC從材料到器件模塊直至終端應(yīng)用全流程的落地實(shí)施，為我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。