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長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)議

日期:2024-08-02 閱讀:605
核心提示:長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室在北京成功舉辦了碳化硅項(xiàng)目科技成果合作轉(zhuǎn)化意向簽約儀式。

 7月31日,長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室在北京成功舉辦了碳化硅項(xiàng)目科技成果合作轉(zhuǎn)化意向簽約儀式。未來,雙方將共同推動(dòng)碳化硅功率器件先進(jìn)技術(shù)研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化進(jìn)程,加快能源綠色低碳轉(zhuǎn)型,助力可持續(xù)發(fā)展。長(zhǎng)飛先進(jìn)總裁陳重國(guó)、懷柔實(shí)驗(yàn)室功率智慧能源研究中心半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)金銳分別代表雙方完成了簽約。

懷柔實(shí)驗(yàn)室是國(guó)家戰(zhàn)略科技力量的重要組成部分,發(fā)揮新型舉國(guó)體制優(yōu)勢(shì),聚焦能源領(lǐng)域開展戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、前瞻性科技創(chuàng)新。長(zhǎng)飛先進(jìn)是國(guó)內(nèi)最早從事碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造的IDM企業(yè)之一,目前已具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力,可提供650V—3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品,在產(chǎn)、在建產(chǎn)能規(guī)模位居國(guó)內(nèi)同行業(yè)前列。

憑借耐高溫、耐高壓、低能耗等性能優(yōu)勢(shì),碳化硅正在現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,尤其是風(fēng)電、光伏、軌道交通、電力電網(wǎng)等新能源及高壓工業(yè)領(lǐng)域,相較傳統(tǒng)器件,碳化硅可以用更低的損耗實(shí)現(xiàn)更高的效率,進(jìn)一步減少能源浪費(fèi)。

未來,長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室將遵循“優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)、資源共享、共同發(fā)展”的原則,面向國(guó)家清潔低碳能源體系構(gòu)建和“碳達(dá)峰、碳中和”戰(zhàn)略目標(biāo),共同探索、推動(dòng)碳化硅功率器件在風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能、電力電網(wǎng)、軌道交通等各領(lǐng)域的研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化進(jìn)程,推動(dòng)能源綠色低碳轉(zhuǎn)型和高質(zhì)量發(fā)展。

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