近日，記者從有關部門了解到，民翔半導體存儲項目進度再刷新，目前已進入園區(qū)施工階段。

在項目現(xiàn)場，記者看到2棟4層高的廠房均已完成外立面施工，數十名工人正緊鑼密鼓地進行圍墻砌筑、道路鋪填等施工作業(yè)。

項目負責人 卓歸里表示，民翔（項目一期）有20畝，目前外立面已經完成，整體的施工正在抓緊趕工，預計的話9月30號可以移交。

據了解，民翔半導體存儲項目計劃總投資10億元，占地約40畝，總建筑面積約4.3萬平方米，規(guī)劃建設綜合樓、生產廠房、宿舍樓及其他配套，分兩期建設，其中一期項目建筑面積約2.2萬平方米。整個項目投產后預計5年內總產值超35億元，總納稅額超1.2億元。

圖片