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納微推出TOLL封裝版第三代快速碳化硅MOSFETs,專為AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車等大功率場景打造

日期:2024-08-13 閱讀:272
核心提示:唯一全面專注的下一代功率半導體公司及GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體(納斯達克股票代碼:

 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及GaNFast™氮化鎵功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布為其最新的第三代快速碳化硅(G3F)MOSFETs產(chǎn)品組合新增一款堅固耐用的熱性能增強型高速表貼TOLL封裝產(chǎn)品,能為大功率、可靠性要求高的應用帶來高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換。

納微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功將高功率能力和行業(yè)最佳的低導通電阻(20至55mΩ)相結(jié)合,并針對如AI數(shù)據(jù)中心電源、電動汽車充電和儲能以及太陽能解決方案等應用所需的最快開關(guān)速度、最高效率和更高功率密度特性進行了專項優(yōu)化。 

納微GeneSiC碳化硅產(chǎn)品基于專有的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)打造,可在運行溫度范圍內(nèi)能提供了全球頂尖的效率性能,G3F MOSFETs具備高速、運行溫升低的性能,相比市場上其他廠商的碳化硅產(chǎn)品,可使器件的外殼溫度降低高達25°C并且壽命長3倍。 

納微最新發(fā)布的4.5kW高功率密度AI服務(wù)器電源參考設(shè)計,其采用了型號為G3F45MT60L(額定電壓為650V、40mΩ,TOLL封裝)的GeneSiC G3F FETs,用于交錯CCM TP PFC拓撲上。與LLC上使用型號為NV6515(額定電壓650V,35mΩ,TOLL封裝)的GaNSafe™氮化鎵功率芯片搭配,使這款電源以137W/inch³的功率密度和超過97%的峰值效率,成為全球功率密度最高的AI服務(wù)器電源。同樣,在400V的電動汽車電池系統(tǒng)中,TOLL封裝的G3F MOSFETs是車載充電機(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及6.6kW-22kW牽引電機的理想之選。 

相較于傳統(tǒng)的D2PAK-7L封裝,表貼TOLL封裝的結(jié)殼電阻(RTH,J-C)要低9%,PCB占位面積也要小30%,厚度低50%并且整體尺寸少60%,有利于打造最高功率密度的解決方案,如納微的4.5kW高功率密度AI服務(wù)器電源。此外,由于其具備僅為2nH的最小封裝電感,可實現(xiàn)卓越的高速開關(guān)性能和最低的動態(tài)損耗。

 (來源:納微芯球 )

 

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