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總投資80億!天域半導體碳化硅項目即將試產

日期:2024-08-14 閱讀:530
核心提示:廣東天域半導體總部和生產制造中心項目即將試產。

8月13日,據東莞發(fā)布官微消息,廣東天域半導體總部和生產制造中心項目即將試產。

資料顯示,該項目總投資80億,位于松山湖生態(tài)園,總占地面積約114.65畝、建筑面積約24萬平方米,建設內容包括廠房、研發(fā)樓、宿舍以及配套設施等,建成后用于生產6英寸/8英寸碳化硅(SiC)外延晶片,產能達150萬片/年。項目建設周期為2023年至2026年,未來預計年產值約100億元。

了解到,作為一家SiC外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造廠商,天域半導體是國內最早實現(xiàn)6英寸SiC外延晶片量產,20kV級以上的厚外延生長,緩變結、陡變結等n/p型界面控制技術,多層連續(xù)外延生長技術的企業(yè)。

2023年2月,天域半導體完成約12億人民幣B輪融資,投資方包括海富產業(yè)基金、粵科鑫泰股權投資基金、南昌工業(yè)控股、嘉元科技、招商資本、乾創(chuàng)投資等,本輪融資資金將繼續(xù)用于增加SiC外延產線的擴產以及持續(xù)加大SiC大尺寸外延生長研發(fā)投入。

目前,天域半導體正在積極布局8英寸SiC外延片產線建設,有望成為國內較早實現(xiàn)8英寸量產的企業(yè)之一。

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