天眼查顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年8月9日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118471899A。

本發(fā)明提供了一種基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法。本發(fā)明通過兩次多晶硅生長(zhǎng)刻蝕工藝，使得所形成的柵氧化層以及柵極的膜層厚度滿足MOSFET器件的相應(yīng)工藝厚度要求的同時(shí)，所形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的頂面高于半導(dǎo)體襯底的表面，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與柵氧化層相接觸，能夠避免在后續(xù)刻蝕第二多晶硅層過程中對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂角區(qū)域處的柵氧化層的破壞，實(shí)現(xiàn)對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂角區(qū)域處的柵氧化層的保護(hù)，增加淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂角區(qū)域處的柵氧化層工藝厚度，最終優(yōu)化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件擁有更高的擊穿電壓以及更長(zhǎng)的可靠性壽命。