天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法“，公開號(hào) CN202410621288.8，申請(qǐng)日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法，所述制備方法，包括以下步驟：S100：獲取圖形化半導(dǎo)體襯底；S200：采用物理氣相沉積方法在圖形化半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行差異性沉積，以備在圖形化半導(dǎo)體襯底表面形成厚度不均的薄膜，S300：對(duì)所述薄膜進(jìn)行刻蝕，使圖形化半導(dǎo)體襯底的 C 面漏出，而圖形化半導(dǎo)體襯底的凸起仍有薄膜覆蓋；S400：步驟 S300 處理后得到的圖形化半導(dǎo)體襯底進(jìn)行選擇性刻蝕，所述選擇性刻蝕被配置為只能夠?qū)Π雽?dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕而無法刻蝕薄膜，以備將半導(dǎo)體襯底上的圖形刻蝕至所需高度和形狀；S500：去除半導(dǎo)體襯底上的薄膜，獲得高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底。