天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)“，公開號(hào) CN202410804692.9 ，申請(qǐng)日期為 2024 年 6 月 。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：提供基底；基底包括襯底、位于襯底內(nèi)且沿第一方向間隔排布的多個(gè)有源區(qū)，以及位于有源區(qū)之間的襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；于基底上形成疊層結(jié)構(gòu)；在相同的刻蝕條件下，刻蝕疊層結(jié)構(gòu)，形成多個(gè)接觸孔；接觸孔暴露出柵極結(jié)構(gòu)和有源區(qū)；其中，疊層結(jié)構(gòu)中靠近基底的子層的刻蝕速率小于疊層結(jié)構(gòu)中遠(yuǎn)離基底的子層的刻蝕速率。由于疊層結(jié)構(gòu)包括多個(gè)子層，疊層結(jié)構(gòu)中各子層越靠近基底，刻蝕速率越小，從而可保護(hù)基底，同時(shí)，由于疊層結(jié)構(gòu)中各子層的刻蝕速率是逐漸變化的，因此，避免了因相鄰膜層之間的刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)。