近日，由浪潮華光參與制定的國家標(biāo)準(zhǔn)《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測試透射電子顯微鏡法》經(jīng)由國家市場監(jiān)督管理總局（國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)）正式發(fā)布，為III族氮化物半導(dǎo)體材料在微電子器件、光電子器件領(lǐng)域應(yīng)用位錯(cuò)成像的測試提供了標(biāo)準(zhǔn)支撐。

《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測試透射電子顯微鏡法》描述了用透射電子顯微鏡來進(jìn)行III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測試方法，適用于III族氮化物半導(dǎo)體的薄膜或體單晶中位錯(cuò)的成像測試。III族氮化物半導(dǎo)體材料主要包括GaN、AIN、InN以及上述三種材料的組合體系，如InGaN，AlGaN，AlInGaN等，是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)。 

下一步，浪潮華光將繼續(xù)秉持“科技立企”的發(fā)展理念，發(fā)揮產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，持續(xù)完善企業(yè)科技創(chuàng)新體制，加快高精尖人才隊(duì)伍建設(shè)，深化產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同合作，加快培育新質(zhì)生產(chǎn)力，聚力推進(jìn)光電產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

（來源：浪潮華光）