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臨沂:加快氮化鎵新材料項(xiàng)目建設(shè)

日期:2024-10-29 閱讀:270
核心提示:據(jù)中交雄安建設(shè)有限公司官微披露,近日,山東臨沂市委書(shū)記任剛到高新廠(chǎng)房項(xiàng)目調(diào)研,視察了一個(gè)氮化鎵新材料項(xiàng)目。資料顯示,該項(xiàng)

 據(jù)中交雄安建設(shè)有限公司官微披露,近日,山東臨沂市委書(shū)記任剛到高新廠(chǎng)房項(xiàng)目調(diào)研,視察了一個(gè)氮化鎵新材料項(xiàng)目。資料顯示,該項(xiàng)目總投資5億,占地304畝,主要建設(shè)廠(chǎng)房(含超凈間)、行政中心、技術(shù)研發(fā)中心等,新上50條HVRE單晶生產(chǎn)線(xiàn)、晶片檢測(cè)線(xiàn),10條晶片切割加工生產(chǎn)線(xiàn),10條研磨、清洗封裝工藝設(shè)備生產(chǎn)線(xiàn),10套外延片加工MOCVD設(shè)備生產(chǎn)線(xiàn),10條圖形襯底制備生產(chǎn)線(xiàn)及配套設(shè)施。項(xiàng)目于今年6月開(kāi)工,預(yù)計(jì)2025年12月完工。項(xiàng)目建成后與北京化工大學(xué)博士團(tuán)隊(duì)合作,引進(jìn)具有獨(dú)立產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備,生產(chǎn)的2英寸、4英寸氮化鎵單晶襯底,廣泛應(yīng)用于芯片制造、通訊基站、相控雷達(dá)等領(lǐng)域,建成后將實(shí)現(xiàn)全市第三代半導(dǎo)體材料的新突破。

 

 

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