國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，無錫博通微電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法”的專利，公開號(hào)CN 118825014 A，申請(qǐng)日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法。該半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件包括半橋連接的兩個(gè)開關(guān)元件；兩個(gè)開關(guān)元件水平設(shè)置在同一襯底上，其中一開關(guān)元件的漏極與柵極分別單獨(dú)電性引出，源極與另一開關(guān)元件的漏極連接并共同電性引出，另一開關(guān)元件的柵極和源極分別單獨(dú)電性引出。該半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件導(dǎo)電機(jī)制為二維電子氣，由柵極控制二維電子氣的導(dǎo)通和關(guān)斷，所以器件的柵電荷非常小，能保證器件的高速開關(guān)，器件整體呈現(xiàn)半橋連接特性，保證應(yīng)用靈活性的同時(shí)，由于器件制備在同一襯底上，具備高集成度的特點(diǎn)，可以提高系統(tǒng)功率密度。