2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。 本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。
目前，論壇的”第三代半導體標準與檢測研討會“日程出爐，工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員陳媛、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長高偉受邀將共同主持研討會。
屆時，重慶大學教授曾正，清純半導體（寧波）有限公司研發(fā)總監(jiān)孫博韜，忱芯科技（上海）有限公司總經(jīng)理毛賽君，深圳平湖實驗室失效分析首席專家何光澤，工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員雷志鋒，南京大學副研究員周峰，東南大學博士后李勝，廣東工業(yè)大學教授賀致遠等來自產(chǎn)學研用不同環(huán)節(jié)的專家們齊聚，分享精彩主題報告，共同探討相關(guān)標準、檢測技術(shù)、解決方案以及技術(shù)研究進展，敬請關(guān)注！
分會詳細日程
|
第三代半導體標準與檢測研討會 The Advanced Semiconductor Standard and Testing Seminar |
|
|
時間：2024年11月20日 地點：蘇州國際博覽中心G館 • G103-104 Time: Nov 20, 09:00-12:00 Location: Suzhou International Expo Centre • G103-104 |
|
|
主持人 陳媛 工業(yè)和信息化部電子第五研究所 研究員 Moderato 高偉 第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 副秘書長 |
|
|
14:00—14:10 |
領(lǐng)導致辭 |
|
14:10—14:30 |
SiC功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法十議：T/CASAS 033-2024標準解讀 曾 正 教授 重慶大學 |
|
14:30—14:50 |
基于SiC MOSFET可靠性標準的產(chǎn)品驗證與失效機制 孫博韜 研發(fā)總監(jiān) 清純半導體（寧波）有限公司 |
|
14:50—15:10 |
SiC MOSFET標準體系符合性測試設備挑戰(zhàn)與整體解決方案 毛賽君 總經(jīng)理 忱芯科技（上海）有限公司 |
|
15:10—15:30 |
面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應用 何光澤 失效分析首席專家 深圳平湖實驗室 |
|
15:30—15:40 |
休息 |
|
15:40—16:00 |
面向新能源應用的電力電子器件大氣中子單粒子燒毀風險評估技術(shù) 雷志鋒 研究員 工業(yè)和信息化部電子第五研究所 |
|
16:00—16:20 |
面向?qū)捊麕О雽wGaN應用的紫外脈沖激光輻照實驗技術(shù) 周 峰 副研究員 南京大學 |
|
16:20—16:40 |
GaN HEMT功率器件壽命預測SPICE模型研究 李 勝 博士后 東南大學 |
|
16:40—17:00 |
動態(tài)應力下GaN功率器件閾值電壓不穩(wěn)定性機理研究 賀致遠 教授 廣東工業(yè)大學 |
|
17:00—17:30 |
交流與討論 |
參會聯(lián)系
