國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN 118888421 A，申請(qǐng)日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法，包括：兩個(gè)處理腔，用于分別對(duì)置于其中的基片進(jìn)行工藝處理。主進(jìn)氣通道，與一工藝氣體源相連，用于將所述工藝氣體源中的工藝氣體輸送至兩個(gè)所述處理腔內(nèi)。氣體流量調(diào)節(jié)組件，設(shè)置在所述主進(jìn)氣通道上，包括至少一個(gè)氣體分流器。流量調(diào)整控制單元，用于根據(jù)兩個(gè)處理腔的基片處理結(jié)果控制所述氣體流量調(diào)節(jié)組件以實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)入兩個(gè)處理腔內(nèi)的工藝氣體氣流的調(diào)整。本發(fā)明能夠解決由于雙腔處理系統(tǒng)的出氣口的固有問(wèn)題導(dǎo)致的兩個(gè)處理腔的氣壓不同，進(jìn)而導(dǎo)致兩個(gè)處理腔內(nèi)的刻蝕率存在不一致的問(wèn)題。