國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，南京南瑞半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種溝槽型SiC器件及其制備方法”的專利，公開號(hào)CN 118888594 A，申請(qǐng)日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種溝槽型SiC器件及其制備方法，通過利用二次外延方法在溝槽型SiC器件中引入一種漸進(jìn)式電場調(diào)制區(qū)結(jié)構(gòu)，漸進(jìn)式電場調(diào)制區(qū)采用的是漸進(jìn)式結(jié)構(gòu)，即第一結(jié)構(gòu)區(qū)相比于第二結(jié)構(gòu)區(qū)窄，即與柵溝槽、阱區(qū)的間距更大，從而可降低電場調(diào)制區(qū)與阱區(qū)的自然耗盡作用，以解決因兩者之間的耗盡作用而導(dǎo)致的導(dǎo)通夾斷效應(yīng)，進(jìn)而增強(qiáng)器件的電流導(dǎo)通能力?？捎行д{(diào)制器件內(nèi)部電場，消除溝槽底部的電場聚集效應(yīng)，還可降低溝槽底部柵氧中的電場強(qiáng)度，避免柵氧擊穿，從而可防止器件過早擊穿燒毀，提升器件可靠性。同時(shí)還可有效避免電場調(diào)制結(jié)構(gòu)與阱區(qū)的自然耗盡作用，從而防止器件導(dǎo)通性能惡化。此外，本發(fā)明的制備方法與現(xiàn)有技術(shù)中的平柵型SiC MOSFET器件制備方法兼容，因此可實(shí)現(xiàn)高性能、批量化溝槽型SiC器件制備及生產(chǎn)。