2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

作為此次論壇承辦支持單位之一，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）將亮相此次展會，并誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨B08-B09號展位參觀交流、洽談合作。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）面向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控與高質(zhì)量發(fā)展目標(biāo)，聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向，協(xié)同市場創(chuàng)新要素和國際人才資源，建設(shè)體系化創(chuàng)新型開放研發(fā)大平臺，致力突破產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸技術(shù)、推動研究成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，為產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供源頭技術(shù)供給，為科技型中小企業(yè)孵化、培育和發(fā)展提供創(chuàng)新服務(wù)。

國創(chuàng)中心（蘇州）于2021年3月獲科技部批復(fù)支持建設(shè)。國創(chuàng)中心（蘇州）圍繞國家重大發(fā)展戰(zhàn)略和產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，聚焦“1~100”產(chǎn)業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)，建設(shè)開放共享的公共研發(fā)大平臺，以市場化機制協(xié)同優(yōu)勢創(chuàng)新資源開展聯(lián)合攻關(guān)，推動科技成果轉(zhuǎn)化和創(chuàng)新型企業(yè)孵化，促進創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈的融合貫通，以新質(zhì)生產(chǎn)力服務(wù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量創(chuàng)新發(fā)展。

國創(chuàng)中心（蘇州）的承建單位為江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司，研究院2019年7月注冊于蘇州工業(yè)園區(qū)，以市場化機制運行，是江蘇省批準(zhǔn)設(shè)立的新型研發(fā)機構(gòu)，由江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)、核心運營團隊聯(lián)合共建。目前，國創(chuàng)中心（蘇州）建有材料生長創(chuàng)新平臺、測試分析與服役評價平臺、器件工藝與封裝平臺、模塊設(shè)計與集成應(yīng)用平臺四大研發(fā)平臺，逐步建成支撐第三代半導(dǎo)體材料創(chuàng)新、器件工藝、測試評價及系統(tǒng)應(yīng)用，具有國際先進水平的、開放共享的研發(fā)平臺。

關(guān)于材料生長創(chuàng)新平臺

材料生長創(chuàng)新平臺面向新型顯示、電力電子、微波射頻、深紫外等應(yīng)用領(lǐng)域，聚焦GaN、AlN單晶同質(zhì)襯底和大尺寸異質(zhì)襯底的材料和器件的外延生長，提供專業(yè)的定制化服務(wù)。材料平臺擁有完善的設(shè)備和專業(yè)的研發(fā)團隊，承擔(dān)多項國家重點計劃和省重點項目，擁有核心發(fā)明專利165項，發(fā)表及合作發(fā)表國際期刊20余篇。研發(fā)和生產(chǎn)了一系列應(yīng)用于高端光電子、微電子器件的外延片產(chǎn)品，已累計合作和服務(wù)國內(nèi)外高校、研究機構(gòu)和科創(chuàng)型企業(yè)約100余家。 

平臺規(guī)劃五年投入人民幣5億元，建設(shè)30臺套外延裝備，形成小規(guī)模研發(fā)、中試線，打造國際一流水準(zhǔn)、專業(yè)化、綜合型的公共研發(fā)平臺。

車間一角

專業(yè)團隊

大尺寸異質(zhì)外延片

高質(zhì)量同質(zhì)外延片 

關(guān)于測試分析與服役評價平臺

測試分析與服役評價平臺旨在建成第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國家級創(chuàng)新型測試分析中心，推動我國第三代半導(dǎo)體測試技術(shù)、測試裝備、測試標(biāo)準(zhǔn)和認(rèn)證體系邁向國際一流水平，加快新質(zhì)生產(chǎn)力成果轉(zhuǎn)化，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破。

平臺現(xiàn)有大型專業(yè)設(shè)備30多臺套，具備材料分析、顯微結(jié)構(gòu)、光電性能、失效分析等測試功能；擁有一支30多人的技術(shù)專家團隊，自主開發(fā)包括顯微缺陷、微納結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)成分、光電特性、失效模式和失效機制的系統(tǒng)性解決方案，具有出具包括 CNAS、CMA 和第三方檢測報告的資質(zhì)能力，可為客戶提供專業(yè)、可靠的一站式解決方案。平臺在支撐自身研發(fā)任務(wù)及合作項目的基礎(chǔ)上，已累計為200余家企業(yè)、高校和研發(fā)機構(gòu)提供專業(yè)高效的測試分析服務(wù)。

關(guān)于器件工藝與封裝平臺

器件工藝與封裝平臺旨在構(gòu)建國產(chǎn)化裝備和工藝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系，建成國內(nèi)首個第三代半導(dǎo)體器件工藝和裝備公共驗證平臺，支撐新型顯示、微波射頻、電力電子等器件工藝的研究與工程化，實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化成套裝備和工藝技術(shù)成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化。平臺匯聚國內(nèi)優(yōu)勢資源，聯(lián)合共建光刻、刻蝕、鍍膜、離子注入、晶圓鍵合加工等關(guān)鍵工藝技術(shù)公共驗證平臺，攻克 UV-LED、Micro-LED、HEMT 和 MOSHFET 等寬禁帶半導(dǎo)體芯片核心工藝技術(shù)，逐步實現(xiàn) GaN 基半導(dǎo)體器件工藝裝備國產(chǎn)化、量產(chǎn)化、標(biāo)準(zhǔn)化；開展GaNSiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件工藝技術(shù)開發(fā)及驗證，支撐光電子工藝、微電子工藝、光機電集成工藝技術(shù)和裝備技術(shù)驗證。

關(guān)于模塊設(shè)計與集成應(yīng)用平臺

模塊設(shè)計與集成應(yīng)用平臺以市場需求為導(dǎo)向，攜手龍頭企業(yè)共建探索支撐未來智能時代的半導(dǎo)體綜合平臺。平臺以項目為單元，進行開放式建設(shè)，專注于新型顯示、射頻功放、消費類電子等領(lǐng)域，推動后端產(chǎn)品和技術(shù)，專用化設(shè)備模塊設(shè)計與集成應(yīng)用等項目研發(fā)。

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