技術(shù)分會(huì)：碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)

Technical Sub-Forum：SiC Substrate & Epitaxial Growth and Equipment

時(shí)間：2024年11月20日08:50-11:55

地點(diǎn)：蘇州國(guó)際博覽中心G館 • G103-104

Time: Nov 20, 08:50-11:55

Location: Suzhou International Expo Centre • G103-104

協(xié)辦支持

Co-organizer

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司

Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.

AIXTRON

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司

Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

蘇州思體爾軟件科技有限公司

Suzhou STR Software Technology Co. Ltd.

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）

National Center of Technology Innovation for Wide Bandgap Semiconductors (Suzhou)

主持人

Moderator    

徐現(xiàn)剛/XU Xiangang

山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)

Director of State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University

Victor VELIADIS

美國(guó) PowerAmerica 執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授  、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席

Executive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW ( IEEE Wide Bandgap Power Semiconductor Technology Roadmap Committee)

馮淦/FENG Gan

瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司總經(jīng)理

GM of GM of Epiworld International Co., Ltd.

08:50-09:00

嘉賓致辭 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting

09:00-09:20

SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長(zhǎng)工藝條件的改進(jìn)SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT Growth

Won-Jae LEE——韓國(guó)東義大學(xué)教授、釜山電力半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)

Won-Jae LEE——Professor of Dong-Eui University, Director of Busan Power Semiconductor Lab.

09:20-09:40

碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects

陳秀芳——山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事

CHEN Xiufang—— Professor of Shandong University, Chair of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

09:40-10:00

面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案

NAURA Solutions for SiC Power Devices

張軼銘——北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司博士 

Dr Zhang Yiming——Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd

10:00-10:15

茶歇/Coffee Break

10:15-10:35

硅晶圓廠中的SiC制造

SiC Fabrication in a Silicon Fab

Victor VELIADIS——美國(guó)電力執(zhí)行董事 & CTO、ICSCRM2024大會(huì)主席、北卡羅來(lái)納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席

Victor VELIADIS——Executive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW

10:35-10:55

化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)解決方案

High Volume Manufacturing of Compound Semiconductors Epitaxy

方子文——AIXTRON中國(guó)總經(jīng)理

FANG Ziwen——GM of AIXTRON China

10:55-11:15

提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶

Single-crystal 4H silicon carbide grown with the method of pulling physical vapor transport

皮孝東——浙江大學(xué)教授、‌浙江材孜科技有限公司董事長(zhǎng)

PI Xiaodong——Professor of Zhejiang University，President of Zhejiang IVSEMITEC Co.,Ltd

11:15-11:35

PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備

AMEC PRISMO PDS8 CVD System for Epitaxial Growth of SiC Power Device

陳丹瑩——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司工藝主任工程師

CHEN Danying——Process Chief engineer of Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China)

11:35-11:55

大直徑碳化硅外延市場(chǎng)發(fā)展與挑戰(zhàn)

Large diameter SiC epitaxy market development and challenges

張國(guó)良——河北普興電子科技股份有限公司市場(chǎng)總監(jiān)

ZHANG Guoliang——Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD

11:55-14:00

午餐 / Lunch