碳化硅單晶半導(dǎo)體材料具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異物理特性，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、光伏儲(chǔ)能、軌道交通等領(lǐng)域，是支撐未來數(shù)字化、低碳產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)材料。尤其在10kV 以上的高壓大功率領(lǐng)域，P型碳化硅材料，具有更好的應(yīng)用前景。 

技術(shù)引領(lǐng) 助力低碳智能電網(wǎng) 

近日，天岳先進(jìn)向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底，標(biāo)志著向以智能電網(wǎng)為代表的更高電壓領(lǐng)域邁進(jìn)了一步。高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底將極大加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進(jìn)程，實(shí)現(xiàn)高端特高壓功率器件國產(chǎn)化。 

針對(duì)高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術(shù)難題，天岳先進(jìn)深化布局前瞻性技術(shù)，在備受關(guān)注的液相法領(lǐng)域，繼2023年公布了全球首個(gè)8英寸碳化硅晶體后再次取得了重大突破，于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。 

液相法具有生長(zhǎng)高品質(zhì)晶體的優(yōu)勢(shì)，在長(zhǎng)晶原理上決定了可以生長(zhǎng)超高品質(zhì)的碳化硅晶體。天岳先進(jìn)布局液相法多年，目前在該領(lǐng)域獲得了低貫穿位錯(cuò)和零層錯(cuò)的碳化硅晶體。通過液相法制備的P型4度偏角碳化硅襯底，電阻率小于200mΩ·cm，面內(nèi)電阻率分布均勻，結(jié)晶性良好。 

天岳先進(jìn)n型產(chǎn)品市占率全球第二，高純半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品連續(xù)五年全球市占率排名第三。2023年，公司與英飛凌、博世等下游功率器件、汽車電子領(lǐng)域知名企業(yè)簽署了長(zhǎng)期合作協(xié)議。導(dǎo)電型n型碳化硅襯底產(chǎn)品在大功率功率器件上優(yōu)勢(shì)明顯，在電動(dòng)汽車領(lǐng)域具有卓越優(yōu)勢(shì)。天岳先進(jìn)的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品獲得了國際客戶的認(rèn)可，實(shí)現(xiàn)了6英寸和8英寸碳化硅導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品批量銷售。高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品，為高頻高輸出的射頻器件提供材料品質(zhì)基礎(chǔ)，適用于5G基站射頻器件，衛(wèi)星通信等應(yīng)用。

天岳先進(jìn)秉承智能制造理念，用科技實(shí)力踐行社會(huì)責(zé)任，依托技術(shù)、產(chǎn)能、服務(wù)、理念方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，持續(xù)加大研發(fā)投入實(shí)現(xiàn)技術(shù)提升，致力于持續(xù)為客戶提供優(yōu)質(zhì)襯底材料，滿足芯片最高安全需求，用產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)保證碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)向新高度發(fā)展，為綠色低碳高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)天岳力量。

（來源：天岳先進(jìn)）