2024年11月18-21日,第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國際博覽中心舉辦。
日本華為股份有限公司高級首席專家濱田公守將出席論壇,并將帶來《最新高性能SiC MOSFET技術(shù)趨勢》的大會報告。
SiC是實現(xiàn)低碳社會電力電子系統(tǒng)新時代的一種有前景的材料。近年來,SBD和MOSFET等SiC器件開始大量供應(yīng),利用這些器件的應(yīng)用范圍正在擴大。但可以利用SiC優(yōu)勢并有望實現(xiàn)穩(wěn)定增長的市場尚未完全建立,其中一個主要原因是成本高,而芯片性能影響著成本。近年來,8英寸晶圓的供應(yīng)已經(jīng)開始,報告將分享最新高性能SiC MOSFET技術(shù)趨勢,敬請關(guān)注!
嘉賓簡介
濱田公守
日本華為股份有限公司高級首席專家
濱田公守于1985年加入豐田汽車公司。1987年,他作為創(chuàng)始成員之一參與了TMC的內(nèi)部半導(dǎo)體項目,主要負責功率MOSFET、BiCDMOS、IGBT和SiC MOSFET的器件開發(fā)。目前擔任華為技術(shù)日本公司功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的高級首席專家,是日本電氣工程師學會(IEEJ)、日本汽車工程師學會(JSAE)和IEEE的成員。他獲得了ISPSD2005和ISPSD2020的最佳論文獎,曾擔任ISPSD2021名古屋分會的總主席。
參會聯(lián)系