國家知識產(chǎn)權局信息顯示，湖南三安半導體有限責任公司申請一項名為“功率器件”的專利，公開號CN 118919575 A，申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種功率器件，例如包括：半導體基底，具有有源區(qū)和位于有源區(qū)外側的外圍區(qū)域；場氧層，設置在半導體基底上并暴露出有源區(qū)；電極層，設置在有源區(qū)并與半導體基底形成電接觸、且從有源區(qū)朝向外圍區(qū)域延伸至場氧層的背離半導體基底的一側以與場氧層部分重疊；以及鈍化層，設置在場氧層上、并從外圍區(qū)域朝向有源區(qū)延伸至覆蓋電極層且暴露出至少部分電極層的背離半導體基底的頂表面。場氧層上設置有未貫穿場氧層的凹槽，鈍化層填充入凹槽內(nèi)。通過在場氧層上設置未貫穿的凹槽、并使鈍化層填充入凹槽內(nèi)，其可以提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力，減少器件鈍化層分層的風險；再者，由于凹槽處保留了一部分場氧，這樣也保留對基底表面的保護作用。