11月25日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)2項(xiàng)氮化鋁晶片方面的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議，詳細(xì)信息如下：
秘書(shū)處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件（casas@casa-china.cn）。 T/CASAS 053—202X 氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法 腐蝕坑密度測(cè)量法規(guī)定了氮化鋁晶片位錯(cuò)密度的檢測(cè)方法，適用于拋光加工后位錯(cuò)密度小于I0^7個(gè)cm^2的AIN晶片。通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施，可以確保不同實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)廠商之間的檢測(cè)結(jié)果具有可比性，從而保障晶片質(zhì)量的穩(wěn)定性和可靠性。 T/CASAS 054—202X 氮化鋁晶片透射譜檢測(cè)方法描述了氮化鋁晶片透射譜的檢測(cè)方法，包括樣品制備、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)程序、結(jié)果分析和報(bào)告。適用于氮化鋁晶片的質(zhì)量控制和評(píng)估。
