11月25日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過2項(xiàng)氮化鋁晶片方面的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議，詳細(xì)信息如下：
秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。
T/CASAS 055—202X 半導(dǎo)體材料紫外光電子能譜測(cè)試方法采用具有低能量、高分辨率的紫外光電子譜分析儀對(duì)InAs、GaSb、Si、InP進(jìn)行紫外光電子能譜測(cè)試。本文件描述了半導(dǎo)體材料紫外光電子能譜測(cè)試的方法，包括目的、原理、要求、標(biāo)準(zhǔn)材料、樣品制備、程序、數(shù)據(jù)處理、報(bào)告。適用于半導(dǎo)體領(lǐng)域常用材料的紫外光電子能譜測(cè)試。 T/CASAS 056—202X 半導(dǎo)體材料紫外光電子產(chǎn)額譜測(cè)試方法采用具有低能量、連續(xù)可調(diào)的紫外光電子譜分析儀對(duì)InAs、GaSb、Si、InP進(jìn)行紫外光電子產(chǎn)額譜測(cè)試，通過對(duì)四種材料的紫外光電子產(chǎn)額譜開3次方根，可以得到材料的離化能IP。本文件描述了半導(dǎo)體材料紫外光電子發(fā)射產(chǎn)額測(cè)試的方法，包括目的、原理、要求、標(biāo)準(zhǔn)材料、樣品制備、程序、數(shù)據(jù)處理、報(bào)告。適用于半導(dǎo)體領(lǐng)域常用材料的紫外光電子發(fā)射產(chǎn)額測(cè)試。
