Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術在技術突破和市場需求方面均取得了顯著進展，市場前景看好。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，由國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、元旭半導體科技股份有限公司等協(xié)辦支持的“Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術”分會上，南方科技大學納米科學與應用研究院助理教授黃楊，南京大學助理教授莊喆，蘇州大學副教授王亞坤，中南大學林超宇，北京大學教授陳志忠，復旦大學信息科學與工程學院教授田朋飛，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員呂順鵬，廈門大學電子科學與技術學院副院長、教授李澄，西安交通大學王旭正等嘉賓們齊聚，共同探討 Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術的發(fā)展。福州大學教授嚴群，九峰山實驗室領域首席科學家閆春輝，北京工業(yè)大學教授郭偉玲共同主持了分會。

福州大學教授嚴群

九峰山實驗室領域首席科學家閆春輝

北京工業(yè)大學教授郭偉玲

黃楊

南方科技大學納米科學與應用研究院助理教授

南方科技大學納米科學與應用研究院助理教授黃楊做了“對PeLED和QLED的射線光學極限外耦合效率的再思考”的主題報告，分享了機器學習結合DFT設計新型空穴傳輸層材料、傳統(tǒng)空穴傳輸層NiO表面優(yōu)化、QD殼層摻雜提升空穴注入能力等研究進展與成果。報告顯示，機器學習結合DFT設計新型空穴傳輸層材料方面，首先建立了帶隙預測模型，其預測結果與640種材料的計算結果高度一致；然后從5276種直接帶隙半導體中篩選出帶隙介于3.0-4.3 eV之間的518種寬帶隙半導體；經過高通量密度泛函理論計算篩選，進一步識別出其中有2（9）種潛在的p-（n-）型傳輸層，提出了此類材料的設計方案。傳統(tǒng)空穴傳輸層NiO表面優(yōu)化方面，基于NiO反鐵磁基態(tài)構型，結合實驗和理論計算，我們發(fā)現SAM分子可以有效降低NiO表面O空位所引入深能級的影響，但并不能完全消除，為SAM分子提出進一步的優(yōu)化建議。QD殼層摻雜提升空穴注入能力方面，對于殼層ZnS，Na元素是潛在的p型摻雜劑，可以有效提升ZnS的HOMO位置，加強空穴注入。

莊喆

南京大學助理教授

南京大學助理教授莊喆做了“基于有源TFT驅動的氮化鎵基Micro-LED顯示芯片研究”的主題報告，分享了帶TJ的InGaN紅色微型LED、靈活的RGB微型LED、柔性有源矩陣微型LED顯示屏等研究進展，首次演示了InGaN RGB Micro LED顯示器。報告顯示，具有MBE再生TJ的InGaN基紅色微LED，與AlGaInP紅色LED相比，具有良好的溫度穩(wěn)定性。

王亞坤

蘇州大學副教授

《量子點序構化調控助力高效電致發(fā)光器件》

林超宇

中南大學

《新型顯示用集成超表面光場調控Micro-LED器件》

陳志忠

北京大學教授

北京大學教授陳志忠做了“Micro-LED側壁刻蝕損傷：修復或隔離？”的主題報告，分享了氟等離子體處理減少Micro-LED側壁損傷、激子與激子局域化效應減少Micro-LED側壁損傷等研究進展，研究顯示，F離子注入使得小尺寸Micro-LED在小注入下的亮度得到明顯增加。其原因來自于載流子側壁的電場的排斥作用，從而減少載流子在側壁的復合。但是F離子注入會導致電壓的下降。F離子處理微觀作用機理和工藝優(yōu)化在進一步的研究中。聲子伴線在小注入和低溫下出現，表明了激子和聲子在量子阱邊緣地區(qū)耦合。激子聲子的耦合有助于小注入下的EQE的提升。激子復合幾乎不受側壁缺陷的影響。黃里斯因子的增加不利于抑制俄歇復合，但似乎對EQE提升有幫助，進一步的需要確認激子的作用，或者激子聲子的耦合對EQE的影響。對于激子的作用，增加其結合能是根本的途徑，需要較低的溫度，較小的極化電場，更多的量子限制。而對于激子-聲子的耦合，則在于量子阱應力的控制，這還需要和載流子的橫向輸運聯系在一起。

田朋飛

復旦大學信息科學與工程學院教授

復旦大學信息科學與工程學院教授田朋飛做了“基于帶寬2GHz綠光micro-LED的9Gbps可見光通信系統(tǒng)”的主題報告，分享了Micro-LED高速紫光通信、高速藍光通信、高速綠光通信的研究進展?？梢姽馔ㄐ偶夹g可同時實現照明、定位和通信三種功能，6G 通信中的光通信是對射頻通信的有力補充。6G 光通信應用場景需要進一步提高光通信速率。報告顯示，基于micro-LED的通信速率，單通道m(xù)icro-LED的高速通信可達11Gbps以上，結合波分復用可達25Gbps以上。串聯紫光micro-LED陣列實現13.4 mW光功率與10.23 Gbps通信。自支撐襯底micro-LED高速無線光通信，目前達到10 Gbps速率均為串聯器件，首次以單顆micro-LED器件超過10 Gbps。基于帶寬2GHz綠光micro-LED的9Gbps可見光通信系統(tǒng)，10微米單顆器件帶寬超過2GHz，20微米單顆器件帶寬超過1.3GHz，20微米八顆串聯與九顆串聯器件帶寬均超過800MHz。

呂順鵬

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員

《氮化物Micro-LED載流子輸運與光提取研究》

李澄

廈門大學電子科學與技術學院副院長、教授

廈門大學電子科學與技術學院副院長、教授李澄做了“實時原位觀測新型半導體光電材料中的缺陷“的主題報告，分享了表征方法相關的研究進展。涉及原位溶液退火同步輻射表征、熒光成像顯微技術、Micro LED 尺寸效應、FLIM 超快熒光壽命成像系統(tǒng)、多物理場下的熒光成像顯微技術等。報告顯示，通過原位觀測缺陷移動、構建缺陷遷移模型、精準調節(jié)缺陷等，實現高效穩(wěn)定光電器件。

郭偉玲

北京工業(yè)大學教授

北京工業(yè)大學教授郭偉玲做了”用于Micro-LED的無轉移圖像化石墨烯透明電極技術“的主題報告，分享了LED中的無轉移圖案化石墨烯透明電極，Micro-LED中的無轉移圖案化石墨烯透明電極等研究進展。報告顯示，研究提出了一種無轉移圖案化石墨烯的制備技術，制備的多層石墨烯具有高質量、高均勻性和高透射率，在電流擴散和改善電極接觸方面發(fā)揮了良好作用。制備了以石墨烯為透明電極的GaN基近紫外大尺寸LED，其光學性能優(yōu)于ITO透明電極的LED。制備了以石墨烯為透明電極的GaN基藍色Micro-LED，石墨烯顯著提高了LED的電學和光學性能。

王旭正

西安交通大學

西安交通大學王旭正做了”基于超表面的可應用于裸眼3D顯示的Micro-LED顯示技術“的主題報告，分享了基于金屬納米錐超表面的SP增強線偏振微LED、集成雙功能元光柵的高效線偏振Micro LED等研究進展。報告顯示，研究提出了一種基于金屬納米孔超表面的SP增強GaN基線偏振微LED，通過克服耦合距離的限制，顯著提高了QW-SP耦合效率。與平面結構相比，PL光譜強度增加了3.17倍。此外，金屬納米酮超表面減少了蝕刻損傷，從而在不損失電性能的情況下提高了發(fā)光效率。通過采用元光柵結構進行損耗模式回收和基于激光干涉光刻的成本效益高的制造方法，還設計并制造了一種高效的GaN基線偏振微LED。該策略大大減少了能量損失，從而在LP LED的發(fā)光效率和偏振比方面實現了前所未有的提高。

（根據現場資料整理，僅供參考）