超寬禁帶半導體具有廣泛的應(yīng)用前景，隨著半導體技術(shù)的快速發(fā)展，將會在未來的科技領(lǐng)域中扮演越來越重要的角色。近期，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、深圳平湖實驗室協(xié)辦支持的“超寬禁帶半導體技術(shù)I”分會上，深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士張道華，南京大學教授葉建東，皇家墨爾本大學微納研究院研究員徐承龍，南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發(fā)總監(jiān)李山，弗吉尼亞理工大學電力電子中心副教授張宇昊，大連理工大學副教授張赫之，沙特國王科技大學Kishor Upadhyaya，北京艾姆希半導體科技有限公司總裁劉思齊，哈爾濱工業(yè)大學（深圳）教授，理學院副院長孫華銳等嘉賓們齊聚，共同探討超寬禁帶半導體技術(shù)的最新進展與趨勢。

張道華

深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士

深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報告，討論超寬帶隙半導體的研究狀況和主要問題，分享了實驗室團隊近來在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。報告分享了氧化鎵和氮化鋁研究進展。涉及氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)調(diào)控，包括β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)、不同金屬在固溶體中的站位、不同金屬固溶體的能帶結(jié)構(gòu)、不同金屬固溶體種空穴平均有效質(zhì)量、銠固溶體中晶向分布等研究進展，以及氮化鋁/富鋁鎵氮光致發(fā)光測量，包括光學表征系統(tǒng)、氮化鋁外延光致發(fā)光和少子壽命、富鋁鎵氮光致發(fā)光等研究進展。

葉建東

南京大學教授

《氧化鎵高導熱異質(zhì)集成射頻器件》

徐承龍

皇家墨爾本大學微納研究院研究員

皇家墨爾本大學微納研究院研究員徐承龍做了“基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga?O?氣體傳感器”的主題報告，分享了液態(tài)金屬化學、液態(tài)金屬印刷功能性二維材料、生物和流體應(yīng)用等研究成果與進展。報告顯示，含氧空位塊體材料無范德華剝落的超薄納米薄膜的合成，含氧空位的氧化鉍納米薄膜表現(xiàn)出強烈的壓電響應(yīng)，含氧空位的氧化鉍納米薄膜顯示極化，DFT計算結(jié)果表明氧空位導致非中心對稱結(jié)構(gòu)。

李山

南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發(fā)總監(jiān)

南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發(fā)總監(jiān)李山做了“氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究”的主題報告，分享了PECVD 外延生長及調(diào)控、氧化鎵光電信息傳感器件等研究進展。報告顯示，基于PECVD（調(diào)控腔壓、溫度）開發(fā)了2英寸氧化鎵薄膜外延生長技術(shù)，實現(xiàn)了氧化鎵薄膜島狀模式生。通過氧氣氛溫度退火有效降低PECVD氧化鎵外延薄膜的氧空位缺陷，光暗電流比提升2個數(shù)量級。In/Ga合金摻雜實現(xiàn)InGaO薄膜帶隙寬度從3.9~4.9 eV的連續(xù)性調(diào)控。摻雜0.02比例的InGaO MSM器件實現(xiàn)高質(zhì)量的光學成像。0.1摻雜比例的InGaO薄膜存在相分離，缺陷和晶界協(xié)同增強PPC效應(yīng)，實現(xiàn)神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器的感存功能應(yīng)用。

張宇昊

弗吉尼亞理工大學電力電子中心副教授

弗吉尼亞理工大學電力電子中心副教授張宇昊做了“面向的Ga₂O₃功率器件應(yīng)用：封裝、魯棒性和多維器件”的主題報告，分享了相關(guān)研究進展。功率器件的進步依賴于材料和器件架構(gòu)。淺摻雜對功率器件的開關(guān)性能限制至關(guān)重要。Ga₂O₃的低kT可以通過封裝來解決。Ga₂O₃器件可以抗雪崩和浪涌。多維結(jié)構(gòu)，新的FOM并支持幾何縮放。使用不同的p型材料可以在Ga₂O₃中實現(xiàn)超結(jié)。

張赫之

大連理工大學副教授

《氧化鎵中缺陷擴展及模型》

Kishor Upadhyaya

沙特國王科技大學

《通過改進點缺陷提高Β-Ga₂O₃光電探測器性能的協(xié)同方法》

劉思齊

北京艾姆希半導體科技有限公司總裁

《第四代半導體材料平坦化研究進展》

孫華銳

哈爾濱工業(yè)大學（深圳）教授，理學院副院長

哈爾濱工業(yè)大學（深圳）教授，理學院副院長孫華銳做了“Ga₂O₃材料和電子器件的熱特性”的主題報告，分享了異質(zhì)集成Ga₂O₃材料和器件的熱特性，電熱模擬、DFT、MD等嘗試，報告指出，后退火提高了界面附近的晶體質(zhì)量，從而降低了界面熱阻，提高了Ga₂O₃薄膜的導熱性。通過拉曼熱成像和電熱模擬進行的3D熱分析提供了SiC SBD上異質(zhì)集成β-Ga₂O₃的精確空間溫度映射，這使得器件內(nèi)部散熱的可視化成為可能。GaOISiC SBD的熱阻僅為β-Ga₂O₃塊體SBD的三分之一，突顯了XOI技術(shù)實現(xiàn)的低器件熱阻。GaOSiC MOSFET的R_th顯著降低到Homo的10%。無BP的GaO MOSFET。在300至375 K的溫度范圍內(nèi)，I_on/_Ioff和R_on的變化可以忽略不計，這突顯了GaOSiC器件的卓越熱穩(wěn)定性。 

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）