天眼查顯示，新美光（蘇州）半導體科技有限公司近日取得一項名為“襯底加熱體組件及化學氣相沉積設(shè)備”的專利，授權(quán)公告號為CN118374794B，授權(quán)公告日為2024年11月5日，申請日為2024年6月26日。

本發(fā)明涉及一種襯底加熱體組件及化學氣相沉積設(shè)備，其中提供了一種襯底加熱體組件，包括襯底和加熱體，襯底包括第一表面、第二表面和中空區(qū)，第一表面和第二表面均用于供反應氣體沉積，中空區(qū)位于第一表面和第二表面之間；加熱體位于中空區(qū)內(nèi)，用于產(chǎn)生熱量以至少加熱第一表面和第二表面。本發(fā)明的襯底設(shè)計為內(nèi)部中空的結(jié)構(gòu)，第一表面及第二表面均為襯底靠近中空區(qū)部分的外表面，位于中空區(qū)的加熱體對襯底的第一表面和第二表面沿徑向的各個位置的加熱效果相對較為平均，不容易產(chǎn)生沉積的產(chǎn)品厚度差異過大的問題，一定程度上提高了襯底上沉積材料的厚度均一性及組織性能均勻性。