相比于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，超寬禁帶半導(dǎo)體具有更高的導(dǎo)電性和更高的光電響應(yīng)能力，由于其特殊的物理和化學(xué)性質(zhì)，被認(rèn)為是半導(dǎo)體技術(shù)的重要突破之一。近期，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。
期間，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、深圳平湖實驗室協(xié)辦支持的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) II”分會上，西安交通大學(xué)副教授王瑋、大阪公立大學(xué)教授梁劍波、馬來西亞理科大學(xué)納米光電子研究與技術(shù)研究所副教授Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin，北方工業(yè)大學(xué)副教授張旭芳，哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授代兵，西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)，復(fù)旦大學(xué)蔡子靈，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員王浩敏，中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所正高級工程師郭懷新，西安電子科技大學(xué)副教授任澤陽等嘉賓們齊聚，共同探討超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展與趨勢。西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)，鄭州大學(xué)教授、日本名古屋大學(xué)客座教授劉玉懷共同主持分會。
劉玉懷
鄭州大學(xué)教授、日本名古屋大學(xué)客座教授
張金風(fēng)
西安電子科技大學(xué)教授
《金剛石輻射探測器級材料制備和器件性能研究》
王瑋
西安交通大學(xué)副教授
《金剛石襯底和器件的發(fā)展》
梁劍波
大阪公立大學(xué)教授
大阪公立大學(xué)教授梁劍波做了“金剛石常溫鍵合技術(shù)在功率器件熱管理中的研發(fā)與應(yīng)用”的主題報告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展。報告指出，在室溫下，使用SAB方法將生長在Si上的AlGaN/GaN/3C-SiC薄膜有效地轉(zhuǎn)移到SCD和PCD基板上，然后在這些金剛石基板上成功制備了GaN-HEMT。接合界面表現(xiàn)出卓越的堅固性，能夠承受各種器件制造工藝。3C SiC/PCD界面處的熱邊界電導(dǎo)測量值高于150 W/m2?K，標(biāo)志著比現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)有了顯著進(jìn)步。金剛石上的GaN HEMT由于其高效的散熱性能而表現(xiàn)出優(yōu)異的輸出特性。
Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin
馬來西亞理科大學(xué)納米光電子研究與技術(shù)研究所副教授
馬來西亞理科大學(xué)納米光電子研究與技術(shù)研究所副教授Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin做了“增強持久氫端透明聚晶金剛石場效應(yīng)晶體管的高溫性能”的主題報告，分享了透明聚晶金剛石場效應(yīng)晶體管（TPD-FET）的高壓操作和高溫操作。報告指出，這些器件具有寬范圍的寬柵漏長度（LGD）和400nm厚的Al2O3鈍化層。在高壓測量中觀察到超過1000V的電壓擊穿。還顯示了器件在RT至673 K下的溫度依賴性和性能。研究顯示研究顯示，在高溫條件下，LGD值分別為16μm、18μm、20μm和22μm的器件的擊穿電壓顯著降低到184 V、278 V、305 V和394 V。由于碰撞電離傾向很高，預(yù)計在高溫下這些故障會減少。與RT擊穿電壓相比，器件的漏電流要高得多（102到105個數(shù)量級）。TPD-FET的性能與基于UWBG的器件相當(dāng)，特別適用于高擊穿電壓和高溫應(yīng)用。這項研究將為未來研究金剛石FET在互補電路中的真正潛力以及這些器件的改進(jìn)奠定基礎(chǔ)。
張旭芳
北方工業(yè)大學(xué)副教授
北方工業(yè)大學(xué)副教授張旭芳做了“水蒸汽處理下Al2O3 /金剛石MOS界面的系統(tǒng)表征”的主題報告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展。報告顯示，通過水蒸氣處理制備了金剛石MOSCAP，并對其進(jìn)行了表征界面特性全面。O端金剛石中存在大密度的界面態(tài)和正固定氧化物電荷基于循環(huán)C-V和同時C-V測量的無退火MOS。引入水蒸氣處理顯著降低了Dit和有效的正固定收費。形成了新型的OH封端金剛石，并通過高分辨率分析了金剛石與MOS的界面低C-V法和電導(dǎo)法。
代兵
哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授
哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授代兵做了”極端環(huán)境下金剛石材料及器件性能“的主題報告，分享了金剛石的生長、金剛石溫度傳感器等相關(guān)的研究進(jìn)展。報告指出，在CVD金剛石生長環(huán)境下，異質(zhì)襯底通常無法產(chǎn)生金剛石晶核或晶核密度極低，足夠高的晶核密度，是生長出高品質(zhì)、自支撐單晶金剛石的前提，偏壓增強形核（BEN）技術(shù)仍是目前能夠獲得與襯底取向一致的高密度金剛石晶核的最佳方法。目前金剛石硼摻雜研究主要集中在硼源、晶面、摻雜方式、摻雜濃度控制、晶體質(zhì)量、摻雜厚度控制等。
蔡子靈
復(fù)旦大學(xué)
復(fù)旦大學(xué)蔡子靈做了”GaN上多晶金剛石的外延生長和散熱研究“的主題報告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展。報告顯示，金屬和GaN之間的TBR可以與GaN/金剛石的TBR相當(dāng)；由于聲子譜與GaN的更好重疊，Ti與GaN的TBR最低；通過在ND籽晶法后引入AlN中間層，實現(xiàn)了5m2K/W的TBReff金剛石/GaN。獲得了熱導(dǎo)率為250W/mK的PCD膜。通過增加PCD膜厚度可以預(yù)期更高的導(dǎo)熱性。
王浩敏
中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員
《六角氮化硼薄膜制備、微觀結(jié)構(gòu)與應(yīng)用》
郭懷新
中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所正高級工程師
《金剛石與功率器件集成熱管理應(yīng)用分析》
任澤陽
西安電子科技大學(xué)副教授
西安電子科技大學(xué)副教授任澤陽做了”金剛石半導(dǎo)體摻雜及器件研究“的主題報告，報告顯示，大尺寸單晶金剛石近年來我國研究進(jìn)展迅速；2英寸單晶已逐步實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，成本不斷降低；高質(zhì)量金剛石逐步實現(xiàn)追趕超越；體摻雜器件在高壓器件中展現(xiàn)出應(yīng)用潛力；金剛石表面終端電導(dǎo)器件正不斷取得新突破；新型表面電導(dǎo)和高效摻雜技術(shù)仍需不斷突破。
（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）
