甬矽電子日前發(fā)布公告，對(duì)募集資金金額等相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行了更新。

根據(jù)修訂稿，甬矽電子將“補(bǔ)充流動(dòng)資金及償還銀行借款”擬使用募集資金金額由3億元調(diào)整為2.65億元。調(diào)整后，公司的募集資金總額為11.65億元，其中9億元將全部用于多維異構(gòu)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，2.65億元用于補(bǔ)充流動(dòng)資金及償還銀行借款。

公告顯示，本次募集資金投資項(xiàng)目中“多維異構(gòu)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”系在公司現(xiàn)有晶圓級(jí)封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上，開(kāi)展“晶圓級(jí)重構(gòu)封裝技術(shù)（RWLP）”、“多層布線連接技術(shù)（HCOS-OR）”、“高銅柱連接技術(shù)（HCOS-OT）”、“硅通孔連接板互聯(lián)技術(shù)（HCOS-SI/AI）”等方向的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，并在完全達(dá)產(chǎn)后形成封測(cè)扇出型封裝（Fan-out）系列和 2.5D/3D 系列等多維異構(gòu)先進(jìn)封裝產(chǎn)品9萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。

甬矽電子表示，近年來(lái)，隨著先進(jìn)晶圓制程開(kāi)發(fā)速度的減緩以及投資成本的不斷增加，集成電路封裝測(cè)試技術(shù)已成為后摩爾定律時(shí)代提升產(chǎn)品性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，2.5D/3D 封裝技術(shù)、Fan-Out/Fan-In（扇出/扇入）封裝技術(shù)、TSV（硅通孔）封裝技術(shù)等先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)展。伴隨著行業(yè)技術(shù)升級(jí)速度的加快，公司下游客戶也對(duì)公司產(chǎn)品升級(jí)迭代提出了更高的要求。

甬矽電子本次可轉(zhuǎn)債募投項(xiàng)目緊密圍繞主營(yíng)業(yè)務(wù)展開(kāi)。通過(guò)此次可轉(zhuǎn)債募投項(xiàng)目建設(shè)，公司將實(shí)現(xiàn)多維異構(gòu)封裝產(chǎn)品的量產(chǎn)，進(jìn)一步深化在晶圓級(jí)先進(jìn)封裝領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局，加快發(fā)展速度，同時(shí)增強(qiáng)公司的技術(shù)儲(chǔ)備和科技成果轉(zhuǎn)化效率，豐富公司晶圓級(jí)封裝產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升產(chǎn)品盈利能力。