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總投資300億元,三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目計(jì)劃明年通線

日期:2024-12-18 閱讀:238
核心提示:據(jù)媒體報(bào)道,近日,三安光電董事、副總經(jīng)理林志東在受訪時(shí)表示,三安光電正在加快發(fā)展第三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),今年三安光電砷化

據(jù)媒體報(bào)道,近日,三安光電董事、副總經(jīng)理林志東在受訪時(shí)表示,三安光電正在加快發(fā)展第三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),今年三安光電砷化鎵射頻平均稼動(dòng)率創(chuàng)新高,高峰時(shí)達(dá)到95%,公司已完成月產(chǎn)能2萬(wàn)片的擴(kuò)建。

據(jù)悉,三安光電與意法半導(dǎo)體于去年在重慶共同設(shè)立了安意法半導(dǎo)體有限公司,主要從事碳化硅外延、芯片的生產(chǎn)和銷售,三安光電方面持有合資公司51%股權(quán)。三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資約300億元,計(jì)劃建設(shè)一個(gè)技術(shù)先進(jìn)的8英寸碳化硅襯底和晶圓工廠,全面整合了8吋車規(guī)級(jí)碳化硅的襯底、外延、芯片的研發(fā)制造,以及為其提供碳化硅襯底的材料供應(yīng)商。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將建成全國(guó)首條8吋碳化硅襯底和晶圓制造線,具備年產(chǎn)48萬(wàn)片8吋碳化硅襯底、車規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片的制造能力,預(yù)計(jì)營(yíng)收將達(dá)170億人民幣。

對(duì)于重慶的碳化硅項(xiàng)目進(jìn)度,林志東透露:“我們現(xiàn)在設(shè)備進(jìn)場(chǎng),然后做工藝驗(yàn)證,因?yàn)樗菄?guó)內(nèi)中西部地區(qū)第一條完整的8英寸碳化硅產(chǎn)線,從安裝到測(cè)試,到規(guī)模量產(chǎn),我們計(jì)劃明年通線并開始小規(guī)模量產(chǎn)。”

據(jù)了解,三安光電是國(guó)內(nèi)唯一具備大規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵/砷化鎵射頻芯片制造平臺(tái),是國(guó)內(nèi)首家SAW(表面聲波濾波器)濾波器垂直產(chǎn)業(yè)鏈整合制造平臺(tái),以及是全球第三家、中國(guó)第一家第三代碳化硅6英寸、8英寸功率芯片垂直產(chǎn)業(yè)鏈整合制造平臺(tái)。

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