國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華虹半導體（無錫）有限公司、上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名為“集成半導體器件及其制備方法”的專利，公開號 CN 119133083 A，申請日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┮环N集成半導體器件及其制備方法，其中集成半導體器件的制備方法中，采用DTI(第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)、第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu))和SOI(底層硅襯底、中間氧化層和頂層硅襯底)結(jié)合，形成全介質(zhì)隔離，從而完全隔離SOI上的CMOS器件(本實施例以NMOS器件為例)和LDMOS器件，提高了芯片整體的抗EMI能力，并完全杜絕寄生雙極效應，消除了閂鎖的風險，從而提升了電路工作可靠性。