天眼查顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年11月15日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118969825A。 

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法。它包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底。所述半導(dǎo)體襯底的正面有元胞區(qū)。其特點(diǎn)是，所述半導(dǎo)體襯底的背面與集電極結(jié)構(gòu)間有過渡區(qū)。所述過渡區(qū)包括依次覆蓋在半導(dǎo)體襯底背面的電場(chǎng)緩變層和場(chǎng)截止層，所述集電極結(jié)構(gòu)覆蓋在場(chǎng)截止層的背面。所述電場(chǎng)緩變層為第一導(dǎo)電類型的變摻雜層，所述場(chǎng)截止層為第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s層。采用該IGBT結(jié)構(gòu)可避免后續(xù)電場(chǎng)抬高導(dǎo)致的器件失效的情況。