據(jù)韓聯(lián)社23日報(bào)道，韓國科技評估與規(guī)劃研究院當(dāng)天發(fā)布的調(diào)查報(bào)告顯示，韓國絕大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)已被中國趕超。該研究院針對39名韓國專家進(jìn)行問卷調(diào)查的結(jié)果顯示，截至去年，韓國所有半導(dǎo)體領(lǐng)域的基礎(chǔ)力量均落后于中國。若將技術(shù)最先進(jìn)國家的水平設(shè)為100%，韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片技術(shù)領(lǐng)域?yàn)?0.9%，低于中國（94.1%）；在高性能、低功耗的人工智能（AI）芯片領(lǐng)域，韓國（84.1%）不及中國（88.3%）。

在功率半導(dǎo)體方面，韓國為67.5%，中國高達(dá)79.8%；在新一代高性能傳感技術(shù)方面，韓中兩國分別為81.3%和83.9%；半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)方面，兩國均為74.2%。據(jù)報(bào)道，在針對半導(dǎo)體領(lǐng)域整體技術(shù)生命周期的問卷調(diào)查中，韓國在工藝和量產(chǎn)方面領(lǐng)先于中國，但在技術(shù)、原創(chuàng)及設(shè)計(jì)領(lǐng)域落后于中國。而從商業(yè)化角度來看，韓國僅在高集成度、低阻抗存儲芯片和先進(jìn)封裝方面領(lǐng)先中國。

值得關(guān)注的是，參與此次調(diào)查的專家在2022年認(rèn)為韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片、先進(jìn)封裝以及新一代高性能傳感技術(shù)等方面均領(lǐng)先中國，但僅兩年就改變了看法。專家們認(rèn)為，韓國半導(dǎo)體技術(shù)水平未來面臨的問題主要有核心人才流失、AI芯片技術(shù)、中美競爭、本國優(yōu)先政策、供應(yīng)鏈本地化等，其中只有AI芯片技術(shù)可能對韓國的技術(shù)水平產(chǎn)生積極影響。

 韓國《首爾經(jīng)濟(jì)》23日注意到，中國在美國施加的巨大壓力下仍取得了這樣的成果。韓國YTN電視臺評論稱，推動“半導(dǎo)體崛起”的中國在10年間持續(xù)進(jìn)行國家層面的大規(guī)模投資，相關(guān)成果逐漸顯現(xiàn)。“尤其令人擔(dān)憂的是”，韓企在具有優(yōu)勢的存儲器領(lǐng)域和戰(zhàn)略價(jià)值較高的傳感器領(lǐng)域，時(shí)隔兩年被中國反超。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會專務(wù)理事安基鉉（音）表示，中國投入相當(dāng)多的研究開發(fā)費(fèi)用支持學(xué)?；蜓芯繖C(jī)構(gòu)，以確保人才和原創(chuàng)技術(shù)，形成了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

（來源：環(huán)球時(shí)報(bào)）