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廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備完成研發(fā)并出貨

日期:2025-07-29 閱讀:217
核心提示:在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)追求自主可控與高質(zhì)量發(fā)展的浪潮中,廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司傳來(lái)振奮人心的消息公司自主研發(fā)的 8 英寸碳化硅(S

 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)追求自主可控與高質(zhì)量發(fā)展的浪潮中,廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司傳來(lái)振奮人心的消息——公司自主研發(fā)的 8 英寸碳化硅(SiC)外延設(shè)備成功完成研發(fā)并順利交付標(biāo)桿客戶。這一成果不僅是企業(yè)自身技術(shù)實(shí)力發(fā)展的重要里程碑,更標(biāo)志著中國(guó) SiC 產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了自主可控,為行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。

設(shè)備外觀及裝車照片 

設(shè)備性能:多項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平 

廣州粵升自研的SiC外延設(shè)備所生長(zhǎng)的8英寸SiC外延片在多項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)上表現(xiàn)亮眼,典型數(shù)據(jù)如下: 

膜厚與摻雜濃度不均勻性:外延片膜層厚度不均勻性小于0.5%,摻雜濃度不均勻性小于1.2%。

表面粗糙度:多點(diǎn)AFM測(cè)試結(jié)果顯示外延片表面粗糙度均小于0.160 nm。

表面缺陷:外延片表面缺陷數(shù)量少,3mm×3mm管芯良率達(dá)到99%以上。

膜厚與摻雜濃度不均勻性

表面粗糙度

表面缺陷情況 

產(chǎn)業(yè)升級(jí):賦能SiC產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

當(dāng)前,半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化和自主可控已成為國(guó)家戰(zhàn)略的迫切需求。一代材料,一代器件,一代裝備,設(shè)備作為產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié),其技術(shù)突破對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)具有決定性意義。廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備的成功研發(fā),精準(zhǔn)解決了SiC產(chǎn)業(yè)鏈中關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)痛點(diǎn),助力我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。 

廣州粵升:專注SiC產(chǎn)業(yè)設(shè)備的創(chuàng)新力量

廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(官網(wǎng):www.ysequip.com)始終專注于液相法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備、氣相法SiC外延設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)。作為半導(dǎo)體行業(yè)的積極參與者,公司深耕 SiC 材料生長(zhǎng)裝備,憑借持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新,致力于推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展,為創(chuàng)造美好生活貢獻(xiàn)力量。

公司致力于千方百計(jì)滿足用戶的多樣化需求,這也是我們創(chuàng)新的最大動(dòng)力。此次,8 英寸 SiC 外延設(shè)備的出貨,是廣州粵升踐行初心的有力證明,也為中國(guó) SiC 產(chǎn)業(yè)在全球競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 

(來(lái)源:粵升設(shè)備)

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