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實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破！我國(guó)成功研制出這一光子芯片

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測(cè)器件方面突破“RS困境” 實(shí)現(xiàn)高性能光電探測(cè)

哈工大宋清海、陳怡沐教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)新型手性光電材料為電致圓偏振光源提供新思路

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

西湖大學(xué)工學(xué)院孔瑋團(tuán)隊(duì)提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質(zhì)外延方法

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所等在層狀半導(dǎo)體材料的拉曼散射理論和實(shí)驗(yàn)方面取得重要進(jìn)展

半導(dǎo)體所等在層狀半導(dǎo)體材料的拉曼散射理論和實(shí)驗(yàn)方面取得重要進(jìn)展

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時(shí)代

南京再迎半導(dǎo)體領(lǐng)域重磅盛會(huì)！6月20日啟幕，共話半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇與挑戰(zhàn)

研制成功！我國(guó)團(tuán)隊(duì)在氧化鎵日盲光電探測(cè)器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

浙江大學(xué)柯徐剛研究員團(tuán)隊(duì)發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

中國(guó)科學(xué)院微電子所在Chiplet熱仿真工具研究方面取得新進(jìn)展

中國(guó)科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領(lǐng)域取得重大突破

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布多項(xiàng)氮化鎵、碳化硅的最新研究進(jìn)展

黃維院士團(tuán)隊(duì)在柔性聚合物發(fā)光二極管應(yīng)變穩(wěn)定性方面取得重要進(jìn)展

南開大學(xué)研發(fā)光學(xué)焦平面陣列堆疊芯片，實(shí)現(xiàn)毫米波高速成像

KAUST實(shí)現(xiàn)千伏級(jí)藍(lán)寶石襯底AlN肖特基二極管

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測(cè)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

北大楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化鎵外延材料中位錯(cuò)的原子級(jí)攀移動(dòng)力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展

我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠(yuǎn)程外延晶體鈣鈦礦

Nature Review EE：第三代半導(dǎo)體和電力電子是實(shí)現(xiàn)碳中和的關(guān)鍵路徑

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

KAUST AM論文：Ga2O3 晶相異質(zhì)結(jié)

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學(xué)院于洪宇、王中銳、汪青研究團(tuán)隊(duì)在LiNbO3壓電聲表面波相移器領(lǐng)域取得新進(jìn)展

北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室、福州大學(xué)孫捷課題組：局域表面等離子體增強(qiáng)納米柱Micro-LED發(fā)光

紅光對(duì)干眼癥的干預(yù)與治療概述

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