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實現(xiàn)技術(shù)突破！我國成功研制出這一光子芯片

蘭州大學研究團隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

哈工大宋清海、陳怡沐教授團隊研發(fā)新型手性光電材料為電致圓偏振光源提供新思路

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進展

西湖大學工學院孔瑋團隊提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質(zhì)外延方法

中國科學院半導體所等在層狀半導體材料的拉曼散射理論和實驗方面取得重要進展

半導體所等在層狀半導體材料的拉曼散射理論和實驗方面取得重要進展

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導體氧化鎵新時代

南京再迎半導體領(lǐng)域重磅盛會！6月20日啟幕，共話半導體產(chǎn)業(yè)機遇與挑戰(zhàn)

研制成功！我國團隊在氧化鎵日盲光電探測器領(lǐng)域取得重要進展

浙江大學柯徐剛研究員團隊發(fā)布應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導體氮化鎵高效率智能供電芯片

中國科學院微電子所在Chiplet熱仿真工具研究方面取得新進展

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

北京大學王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領(lǐng)域取得重大突破

香港科技大學陳敬教授課題組發(fā)布多項氮化鎵、碳化硅的最新研究進展

黃維院士團隊在柔性聚合物發(fā)光二極管應變穩(wěn)定性方面取得重要進展

南開大學研發(fā)光學焦平面陣列堆疊芯片，實現(xiàn)毫米波高速成像

KAUST實現(xiàn)千伏級藍寶石襯底AlN肖特基二極管

武漢大學聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進展

北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展

我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠程外延晶體鈣鈦礦

Nature Review EE：第三代半導體和電力電子是實現(xiàn)碳中和的關(guān)鍵路徑

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

KAUST AM論文：Ga2O3 晶相異質(zhì)結(jié)

電子科技大學朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學院于洪宇、王中銳、汪青研究團隊在LiNbO3壓電聲表面波相移器領(lǐng)域取得新進展

北京工業(yè)大學郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實驗室、福州大學孫捷課題組：局域表面等離子體增強納米柱Micro-LED發(fā)光

紅光對干眼癥的干預與治療概述

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