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新突破|鎵仁半導體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

山東大學與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得重大突破

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

中國科學院物理研究所張廣宇課題組實現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長

意法半導體宣布成功制造出200mm (8英寸)碳化硅晶圓

日本Novel Crystal宣布量產(chǎn)4英寸氧化鎵(Ga2O3) 晶圓

日本半導體的突破，2英寸氮化鎵單晶基板量產(chǎn)

好消息！在科研人員的不斷努力之下，碳化硅4英寸晶片實現(xiàn)量產(chǎn)！

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