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總投資200億！長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶(hù)光谷

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)：氧化鎵功率器件研究成果

工程院院士丁榮軍：新材料和新拓?fù)涫?span id="rrvrbqq" class="highlight">功率器件未來(lái)技術(shù)突破的關(guān)鍵路徑

9.8億元寧波眾芯半導(dǎo)體光電和功率器件IDM項(xiàng)目封頂

寧波眾芯半導(dǎo)體光電和功率器件IDM項(xiàng)目封頂

河北工業(yè)大學(xué)張勇輝：化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備

中國(guó)電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

芯港半導(dǎo)體程斌：藍(lán)寶石基GaN材料及功率器件進(jìn)展

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術(shù)

中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

【CASICON 2023 西安站】西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)張進(jìn)成：寬禁帶半導(dǎo)體射頻和功率器件技術(shù)新進(jìn)展

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

CASICON西安站前瞻|中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

長(zhǎng)飛先進(jìn)擬60億元建第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目

長(zhǎng)飛光纖：子公司擬60億元建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目

長(zhǎng)飛光纖子公司擬60億元投建第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目

半導(dǎo)體功率器件公司北一半導(dǎo)體完成超1.5億元B輪融資

芯動(dòng)能半導(dǎo)體成立！主要聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件

宏微科技等合資成立芯動(dòng)能半導(dǎo)體，圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件

揚(yáng)杰科技與東南大學(xué)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共建寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

揚(yáng)杰科技將與東南大學(xué)共建寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

納微半導(dǎo)體聯(lián)手?？巳?，工業(yè)充電樁采用GeneSiC碳化硅功率器件

廈門(mén)士蘭集科微擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目節(jié)能報(bào)告獲批年產(chǎn)30萬(wàn)片IGBT功率器件

杭州道銘微集成電路及功率器件系統(tǒng)集成封裝新建一期廠(chǎng)房開(kāi)工

道銘微集成電路及功率器件新項(xiàng)目開(kāi)工

道銘微集成電路及功率器件新項(xiàng)目開(kāi)工，總投資額不小于25億元

外媒：瑞薩電子擬于2025年實(shí)現(xiàn)碳化硅功率器件量產(chǎn)

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