亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<tfoot id="eow4c"></tfoot>

<sup id="eow4c"><code id="eow4c"></code></sup>

<tfoot id="eow4c"></tfoot>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

青禾晶元鍵合技術(shù)突破GeOI產(chǎn)業(yè)化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！

科研成果 | 唐寧、沈波團隊與合作者利用深紫外光譜在原子級薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進展

蘇州納米所秦華團隊在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進展

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)孫海定教授團隊ACS Nano：用于皮膚健康防護的可穿戴水陸兩棲紫外線探測器

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

吾拾微 “ 12寸超薄晶圓(20-30um)解鍵后清洗機 ” 榮獲江蘇省 “兩新” 技術(shù)產(chǎn)品

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

科研新進展 | 廈大周偉教授團隊在激光精密制造領(lǐng)域取得突破進展

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

關(guān)于申報2025年度國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）“揭榜掛帥”的通知

北大電子學(xué)院王興軍、舒浩文團隊在超高速光互連領(lǐng)域取得重要進展

盛美上海與華東理工大學(xué)攜手共建高端半導(dǎo)體裝備聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新轉(zhuǎn)移中心

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

長春光機所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團隊在寬禁帶氮化物載流子動力學(xué)研究方面取得重要進展

半導(dǎo)體所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進展

西電集成電路學(xué)部聯(lián)合武漢大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得突破性進展

中國科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進展

商務(wù)部調(diào)整發(fā)布《中國禁止出口限制出口技術(shù)目錄》新增關(guān)鍵技術(shù)出口限制

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

《計量支撐產(chǎn)業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展行動方案（2025—2030年）》印發(fā) 聚焦集成電路核心計量技術(shù)支撐等

北京大學(xué)王新強、王平、王濤團隊在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進展

晶能與中車時代半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，推動功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新突破

華潤微電子與華南理工大學(xué)共建射頻微電子技術(shù)聯(lián)合實驗室

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

深圳平湖實驗室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進展，性能指標達到國際先進水平

西湖儀器：超薄片單晶金剛石加工技術(shù)新突破！

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進展

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)”項目啟動暨實施方案論證會召開

Wolfspeed 1700V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所集體導(dǎo)模共振手性激光器研發(fā)取得進展

第1頁/共78頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<sup id="yeu04"></sup>

<sup id="yeu04"></sup>

<tfoot id="yeu04"></tfoot>