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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室丁祥金：建設(shè)面向全國的公共、開放、共享的平臺(tái)，共創(chuàng)寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

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新微半導(dǎo)體推出850nm 10G VCSEL工藝平臺(tái)，面向廣泛的數(shù)通應(yīng)用

信越化學(xué)面向GaN半導(dǎo)體開發(fā)出大型基板

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

我國科學(xué)家開發(fā)出面向新型芯片的絕緣材料

CASA與CSA共同立項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測(cè)試方法》

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：面向硅光集成的III-V族量子點(diǎn)材料與激光器

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)游淑珍：面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)

IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大學(xué)教授陳敬：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

中瓷電子：主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪

CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)

長電科技面向第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)解決方案營收有望大幅增長

《北京市促進(jìn)未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展實(shí)施方案》發(fā)布面向六大領(lǐng)域打造未來產(chǎn)業(yè)策源高地

香港科技大學(xué)（廣州）王蘊(yùn)達(dá)：面向光電子異質(zhì)集成的微轉(zhuǎn)印技術(shù)

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術(shù)

長電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案即將在國內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)

艾邁斯歐司朗與愛思強(qiáng)宣布，面向Micro LED應(yīng)用的200mm晶圓AIXTRON G5+ C和G10-AsP系統(tǒng)已獲艾邁斯歐司朗認(rèn)證

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長集成

面向可重構(gòu)整流電路的互補(bǔ)型柵控PN結(jié)電路研究

東芝推出第3代SiC MOSFET 面向更高效工業(yè)設(shè)備

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