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  • Tibor GRASSER教授：P
    Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETsTibor GRASSER奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長、教授Tibor GRASSERProfessor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universit?t Wien, Austria
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    guansheng2023-05-22 13:45
  • 中國電子科技集團(tuán)首席
    SiC功率MOSFET技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展柏松中國電子科技集團(tuán)首席專家、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
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    guansheng2023-05-19 09:39
  • 北京衛(wèi)星制造廠有限公
    GaN/SiC功率器件在航天電源的應(yīng)用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛(wèi)星制造廠有限公司領(lǐng)域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd
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    guansheng2023-05-19 09:08
  • 錦浪科技技術(shù)研究中心
    SiC功率器件在光伏逆變器中的應(yīng)用進(jìn)展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術(shù)研究中心總監(jiān)LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
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    guansheng2023-05-19 09:07
  • 博湃半導(dǎo)體市場銷售總
    用于先進(jìn)SiC功率模塊的整體解決（核心設(shè)備/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司市場銷售總監(jiān)ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.
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    guansheng2023-05-19 09:04
  • 西安電子科技大學(xué)微電
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
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    limit2022-05-01 17:18
  • 大連理工大學(xué)教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術(shù)A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學(xué)教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
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    limit2022-05-01 10:00
  • 中電科四十八所半導(dǎo)體
    SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
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    limit2022-05-01 09:57
  • 欣銳科技董事長吳壬華
    SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吳壬華深圳欣銳科技股份有限公司董事長WURenhuaChairofthe Board, SHINRY
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    limit2022-05-01 09:54
  • 復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清
    SiC器件和模塊的最新進(jìn)展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
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    limit2022-05-01 09:48
  • 瑞典皇家理工學(xué)院教授
    用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學(xué)院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden
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    limit2022-01-31 13:50
  • 視頻報告 2017 |西安
    極智報告|西安特銳德智能充電科技有限公司總工程師王利強(qiáng) ：電動汽車充電技術(shù)發(fā)展及SiC應(yīng)用。更多專業(yè)學(xué)術(shù)報告，請點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量報告，免費(fèi)看！
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    limit2021-04-29 12:39
  • 【視頻報告 2018】基
    深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Vic
    美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 西安衛(wèi)光科技微晶微電
    西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》
    125600
    limit2020-02-02 16:22
  • 瑞士MicrodiamantChri
    瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應(yīng)用及其關(guān)鍵工藝技術(shù)的主題報告，報告表示，碳化硅業(yè)務(wù)的主要目標(biāo)是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)劣以及關(guān)鍵的流程步驟等內(nèi)容。
    211100
    limit2020-02-01 16:23
  • 鍇威特研發(fā)副總譚在超
    蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)副總 譚在超 《SiC MOSFET的產(chǎn)品特征及在電力電子的應(yīng)用機(jī)遇》
    121200
    limit2020-02-01 16:21
  • 西安電子科技大學(xué)微電
    西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實(shí)現(xiàn)及給應(yīng)用帶來的優(yōu)勢
    122200
    limit2020-02-01 10:36
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