趙德剛:GaN材料碳雜
1840
江曉松:寬禁帶半導體
1250
呂澤升:High Perform
520
李思哲:用于Micro LE
2540
龔政:氮化鎵基Micro-
3770
李虞鋒:Nanoscale Ch
920
程凱:新型GaN外延結(jié)
2260
劉斌:量子點/氮化物
1890
黃思溢:基于水平常壓
2530
余佳東:等離子體密度
2640
趙見國:非極性(11-20
2620
宋文濤:液態(tài)銦氮化生
1490
張峰:Atomic layer d
2180
黃豐:寬禁帶半導體材
3590
石芝銘:寬禁帶III族
1570
劉志彬:濺射中痕量氧
2580
陳荔:基于高溫熱退火
Ye Yuan: The prepara
魏同波:石墨烯驅(qū)動的
1680
許福軍:AlGaN基深紫
3450