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今天極智課堂邀請到中國電子科技集團第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說起——碳化硅功率器件之新能源汽車應用及展望》主題報告

極智報告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導體功率模塊在新能源汽車中應用》主題報告。更多精彩報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學術報告任性看！

科銳中國市場推廣部總監(jiān)林鐵先生分享了“大功率LED和COB器件技術發(fā)展”報告。 科銳作為全球大功率的整個國際上的領先者，其技術和產品研發(fā)一直都是業(yè)界關注的焦點。會上，林鐵總監(jiān)表示，大功率LED和COB器件在高端照明市場具備競爭優(yōu)勢。隨著國家相關政策和產業(yè)發(fā)展趨勢，大功率LED器件技術也在不斷變革、細化、發(fā)展。器件的光效 、光輸出、光學均勻性、性能都在不斷提升。超大功率LED器件帶來更高流明輸出和光效。 科銳在LED器件領域又有重大突破，推出革新性的NX技術平臺。該平臺將為新一代照明級LED的創(chuàng)新發(fā)展，

北京康美特科技股份有限公司總工程師孫宏杰針對公司生產的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢”報告，報告指出康美特目前所具備的競爭優(yōu)勢：一是樹脂的合成、純化；二是添加劑的合成以及配方工藝及質量控制方面的優(yōu)勢。更多精彩報告，請關注下載極智頭條APP！

華普永明（股票代碼：833888）致力于成為全球戶外大功率LED照明行業(yè)領軍企業(yè)，專注于為客戶提供大功率LED燈具的設計和制造的一站式服務。2018年6月9-12日，華普永明攜新品重裝亮相光亞展，期間華普永明董事長陳凱接受極智頭條訪問，解讀華普永明在產業(yè)環(huán)境不太樂觀的情形下，華普永明逆勢增長的秘密，解析LED戶外大功率產品發(fā)展趨勢與產業(yè)競爭格局。更多精彩觀點，請點擊瀏覽視頻！

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項目負責人，主持開發(fā)了基于0.1um G

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價的報告，結合相關的試驗數(shù)據，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

該視頻為：日本大阪大學助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應力連接技術》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結微孔和鎢(W)薄膜的夾層結構。芯片粘連層被設計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現(xiàn)低應力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強度高達60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結技術最有希望應用于高溫工作的低應力的SiC功率模塊。 第三代半導體材料主要包

泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（以下簡稱“泰科天潤”）是中國碳化硅（SiC）功率器件產業(yè)化的倡導者之一，致力于中國半導體功率器件制造產業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費者提供優(yōu)質的半導體功率器件產品和專業(yè)服務。 作為國內唯一一家碳化硅研發(fā)生產和平臺服務型公司，泰科天潤目前在北京已建成國內第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產線，可在SiC外延上實現(xiàn)半導體功率器件的制造工藝。 泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎核心產品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分，其決定了能量調節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統(tǒng)。針對不同的應用，如今的商業(yè)市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。

加拿大多倫多大學教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅動器集成電路”研究報告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通...