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中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場景是照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過對光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時對照明與現(xiàn)實技術(shù)融合的應(yīng)用場景進行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價怎么降低成本

蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院教授馮敏強在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應(yīng)用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發(fā)展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了光激射的VCSE

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們在石墨烯上來進行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調(diào)整晶核生長得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的

瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學(xué)氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物，石墨烯通過商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長。通過濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層，石墨烯可以轉(zhuǎn)移到

中國農(nóng)業(yè)大學(xué)水利與土木工程學(xué)院教授賀冬仙做了關(guān)于光強和LED光譜對水培菠菜生長及品質(zhì)影響的報告。賀冬仙近10年來，以第一作者/通訊作者發(fā)表SCI/EI論文15篇，主持50萬元以上的國家/省部級科研課題9項。取得授權(quán)發(fā)明專利7項、實用新型6項和軟件著作權(quán)9項。她的創(chuàng)新性成果及其學(xué)術(shù)價值包括：（1）圍繞珍稀瀕危藥用鐵皮石斛開展了10多年以上光合生理研究，從氣體交換、電子傳遞、氣孔運動方面確立了CAM植物的環(huán)境生理研究方法，可擴展到石斛屬、蘭科植物和其他藥用植物研究。（2）攻克了高光效人工光源、嵌入式組態(tài)化環(huán)境

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項目負(fù)責(zé)人，主持開發(fā)了基于0.1um G

中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會專家，研究方向為太赫茲固態(tài)電子器件、先進半導(dǎo)體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域，希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低

英國布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL做了關(guān)于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)的報告，具體介紹了該技術(shù)的研究背景，并結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，介紹了該技術(shù)的研究成果，及未來的一些應(yīng)用領(lǐng)域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發(fā)展勢頭很強勁，當(dāng)前，通訊、雷達等應(yīng)用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎(chǔ)上的，隨著數(shù)據(jù)化的發(fā)展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會有局限，開發(fā)金剛石襯底是一個不錯的嘗試。Martin KUBALL詳細分享了當(dāng)前開發(fā)GaN-on-Diamon

西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結(jié)構(gòu)的研究報告。

廣西大學(xué)杰出教授、臺灣大學(xué)榮退教授馮哲川分享了關(guān)于Ga2O3薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領(lǐng)域的11-本英文專著，

鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長、教授單崇新介紹了高質(zhì)量金剛石的CVD生長。金剛石是自然界產(chǎn)生的最堅硬的一種材料，因為它極高的硬度，一直被當(dāng)做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有應(yīng)用，日常生活以及工業(yè)生產(chǎn)中都能用到金剛石。除了高硬度以外，金剛石還有很多其他獨特的特點，很適合當(dāng)做半導(dǎo)體材料，比如非常高的帶隙、電壓、非常高的熱傳導(dǎo)性等，這些特點使得金剛石一直被認(rèn)為是重要的，也是非常有潛力的下一代半導(dǎo)體器件的原料。把金剛石材料轉(zhuǎn)變成金剛石器件還有很長的路要走，也需要很多高品質(zhì)的材料，這是非常基本的一步。

河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評價的報告，結(jié)合相關(guān)的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

北京農(nóng)業(yè)智能裝備技術(shù)研究中心陳曉麗分享了“LED紅藍交替光對生菜生長及品質(zhì)的影響”研究報告。

中國農(nóng)業(yè)大學(xué)童勤分享了通過綠光LED調(diào)節(jié)雞蛋孵化研究報告。

北京大學(xué)東莞光電研究院生物光環(huán)境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用主題報告。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

德國ALLOS Semiconductors GmbH市場總監(jiān)Alexander LOESING帶來“無碳摻雜GaN-on-Si大外延片實現(xiàn)低漏電流”報告。 “我們已經(jīng)在（111）硅襯底上通過MOVPE生長了150mm的硅襯底GaN外延片；并且已經(jīng)通過增加GaN厚度到7 ?m能夠顯示有效的隔離。同時，已經(jīng)可以展示進一步提高晶體質(zhì)量提高隔離效果；在XRD下的FWHM為 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我們證明了通過優(yōu)化GaN和Si襯底之間核/緩沖層以及GaN層的插入層的