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蘇州納維科技有限公司任國強(qiáng)博士分享“探索氮化物半導(dǎo)體的新應(yīng)用”主題報(bào)告

廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理徐虹分享了人工智能+物聯(lián)網(wǎng)+LED（人工智能驅(qū)動(dòng)的PFAL）主題報(bào)告。

新加坡TüV SüD Asia Pacific Pte Ltd項(xiàng)目經(jīng)理&高級(jí)工程師Henry Marvin B?LL做了題為室內(nèi)農(nóng)業(yè)人工照明的標(biāo)準(zhǔn)與設(shè)計(jì)準(zhǔn)則的報(bào)告。Henry Marvin B?LL 目前主要的研究工作集中在用于控制園藝環(huán)境的人工照明。報(bào)告中，他介紹了對(duì)植物工廠中人工光源很重要的標(biāo)準(zhǔn)，包括參數(shù)的解讀，以及如何目前可使用的一些標(biāo)準(zhǔn)。

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在分享“可編程有源矩陣Micro-LED顯示器的設(shè)計(jì)與制作”報(bào)告中表示，Micro-LED還可以被用于微型投影儀，不僅所需光路簡單還可以大大提高整個(gè)系統(tǒng)的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件應(yīng)用中也炙手可熱，適用于低功耗高亮度大視角的頭戴式眼鏡等應(yīng)用場景。此外，基于氮化鎵材料的Micro-LED在多種極端環(huán)境下依然能保持高度穩(wěn)定性和可靠性，這使得其在特種應(yīng)用方面前景更加廣闊。劉教授重點(diǎn)對(duì)介紹了 Micro-LED的電學(xué)特性和最優(yōu)化設(shè)計(jì)； 電流控制電流源設(shè)計(jì)架構(gòu)的有源選址Micr

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報(bào)告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍(lán)寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對(duì)于較大的Si襯底尺寸，但是對(duì)GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因?yàn)镾i的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)為增強(qiáng)型（e-mode），并通過低成本，

所有的技術(shù)都有一個(gè)發(fā)展過程，尤其對(duì)于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用。其中對(duì)電網(wǎng)整體對(duì)材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內(nèi)國際進(jìn)展進(jìn)行了細(xì)致介紹。他表示，預(yù)期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣來說對(duì)電網(wǎng)的預(yù)期是整

德國愛思強(qiáng)股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應(yīng)器當(dāng)中的表現(xiàn)主題報(bào)告。他表示，用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長率SiC同質(zhì)外延工藝生長的大容量生產(chǎn)反應(yīng)器，它是在于每小時(shí)二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來說是一個(gè)好事，那么同時(shí)它這個(gè)結(jié)果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預(yù)計(jì)2018年這種全面的自動(dòng)化技術(shù)的使用，會(huì)使得我們整個(gè)產(chǎn)業(yè)會(huì)有大量的一個(gè)客戶量的增長。

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵點(diǎn)。他表示，未來的工作主要還是針對(duì)一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實(shí)現(xiàn)一個(gè)產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進(jìn)行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時(shí)候推出一些產(chǎn)品。

該視頻為：超凡數(shù)據(jù)與咨詢事業(yè)部檢索業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)馬志勇主講的《SiC國際知名企業(yè)專利布局策略與競合動(dòng)向》報(bào)告。 他表示：“研發(fā)者首先要注重和用專利，注意你的核心技術(shù)你的專利，要用拳頭保護(hù)咱們的產(chǎn)品。要用專利的挖掘與布局來保護(hù)我們的產(chǎn)品和研發(fā)。并且通過專利分析可以找到合作者，補(bǔ)全我們產(chǎn)業(yè)鏈的一環(huán)，增強(qiáng)實(shí)力。這些巨頭是一個(gè)競爭，我們要關(guān)注它的專利，規(guī)避我們的風(fēng)險(xiǎn)，通過專利分析這些東西都是潛在可能的?！?/div>

該視頻為：日本大阪大學(xué)助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應(yīng)力連接技術(shù)》報(bào)告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結(jié)微孔和鎢(W)薄膜的夾層結(jié)構(gòu)。芯片粘連層被設(shè)計(jì)為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強(qiáng)度高達(dá)60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結(jié)技術(shù)最有希望應(yīng)用于高溫工作的低應(yīng)力的SiC功率模塊。 第三代半導(dǎo)體材料主要包

該視頻為：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報(bào)告。

中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院北京畜牧獸醫(yī)研究所孫研研介紹了LED光譜對(duì)蛋雞生長發(fā)育和繁殖性能的影響主題報(bào)告。

北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報(bào)告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。

SSLCHINA 2017之“生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)”分會(huì)上，臺(tái)灣大學(xué)教授、臺(tái)灣植物工廠首席專家方煒介紹了用于高附加值作物生產(chǎn)的人工光植物工廠。他表示，植物工廠有很高的發(fā)展?jié)摿?，LED可以讓植物工廠發(fā)展的更好。

華燦光電股份有限公司副總裁王江波在SSLCHINA2017“芯片、封裝與模組技術(shù)分會(huì)上做了“高光效LED照明及下一代LED顯示技術(shù)的發(fā)展與前景”的主題報(bào)告； 他表示，在過去20年當(dāng)中，LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常迅速，年負(fù)荷增長率做到了30%左右，尤其是在十二五期間，整個(gè)行業(yè)分成了上游、中游、下游，下游產(chǎn)業(yè)規(guī)模是最大的，中國現(xiàn)在已經(jīng)逐漸的變成世界上最大的LED芯片生產(chǎn)國家，現(xiàn)在基本上占有53%的整個(gè)市場的份額，一個(gè)產(chǎn)能的份額。 LED照明市場在2015年至2020年，預(yù)測接下來還會(huì)有一個(gè)接近10%的增長。背光方

中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展研究所李濤做了LED在園藝生產(chǎn)中的智能應(yīng)用的報(bào)告，分享了LED在設(shè)施園藝的主要應(yīng)用、LED在花卉方面的應(yīng)用、補(bǔ)光、遠(yuǎn)紅光、UV LED等方面的研究成果。

英國布魯內(nèi)爾倫敦大學(xué)的John COSMAS教授，分享了“超市5G網(wǎng)絡(luò)Radio Light服務(wù)”報(bào)告。 他對(duì)寬帶家庭網(wǎng)絡(luò)解決方案以及用于超市的5G無線網(wǎng)絡(luò)照明服務(wù)應(yīng)用的主要市場趨勢和需求做了介紹。5G無線光網(wǎng)絡(luò)（輸入/輸出寄存器裝入）超市，可以很容易地部署，因?yàn)樗捎脽o可見光和毫米波頻譜的一部分，它是用來為購物者提供精確定位、互動(dòng)架構(gòu)，訪問互聯(lián)網(wǎng)和基于云的服務(wù)，如高分辨率視頻在平板電腦。 他還表示，此次來北京其中有一個(gè)目的就是找到一家公司能夠合作，找到適合的芯片，把這樣的一個(gè)解決方案實(shí)現(xiàn)了，而且是基

大連理工大學(xué)王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術(shù)及電子性能”報(bào)告中介紹了缺陷到底是什么樣子，缺陷如何去鈍化以及進(jìn)一步的研究工作進(jìn)展。并把下一步的工作和進(jìn)一步實(shí)用化的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)業(yè)方向上的發(fā)展做了詳細(xì)介紹。并介紹了核心的鈍化技術(shù)，比較獨(dú)特，這個(gè)鈍化它的研究都是建立在它的物理技術(shù)之上，所以這個(gè)測試比較強(qiáng)。

周達(dá)成授表示，在過去十年中，基于兩個(gè)寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（GaN和SiC）的功率開關(guān)器件正在影響功率電子系統(tǒng)，這是由于其良好的工業(yè)效用和改善的性能，且比傳統(tǒng)的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示，通過模擬和實(shí)驗(yàn)應(yīng)力（如電流崩塌和高溫反偏），評(píng)估了現(xiàn)有......請?jiān)赪IFI條件下反復(fù)觀看！