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大連海洋大學(xué)海洋科技與環(huán)境學(xué)院院長(zhǎng)劉鷹教授分享了《LED對(duì)水生生物生長(zhǎng)發(fā)育的影響研究與展望》主題報(bào)告。在企業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用，魚類性成熟率從47%降低到20%以下；揭示LED光譜影響嶺南黃肉雞生理-行為-生長(zhǎng)的通路，根據(jù)LED光譜的影響規(guī)律調(diào)制特種光譜，優(yōu)化光周期與光照強(qiáng)度，形成成套調(diào)控策略。研究發(fā)現(xiàn)，在不同 LED 光譜（全光譜、紅光、橙光、綠光、藍(lán)光）條件下，通過分析和比較實(shí)驗(yàn)組間大菱鲆早期發(fā)育時(shí)序、孵化率、苗種生長(zhǎng)率和成

鄭州大學(xué)教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍(lán)寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延研究的報(bào)告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在AlN上的生長(zhǎng)模型等研究?jī)?nèi)容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長(zhǎng)單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長(zhǎng)模型，然后在AlN上進(jìn)行h-BN的二維橫向生長(zhǎng)。

日本國立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長(zhǎng)和特性的主題報(bào)告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)和特性。通過對(duì)于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動(dòng)電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時(shí)，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所廖秋紅介紹了《采前補(bǔ)光強(qiáng)度和波長(zhǎng)對(duì)小白菜的生長(zhǎng)與生理特征的影響》研究報(bào)告。報(bào)告以小白菜（綠葉和紅葉兩種類型）為供試材料，篩選影響小白菜生長(zhǎng)和品質(zhì)的采前補(bǔ)光強(qiáng)度和波長(zhǎng)。(1)補(bǔ)光強(qiáng)度方面，采收前10天補(bǔ)充不同的藍(lán)光強(qiáng)度（0、50、100、150 molm-2s-1），波長(zhǎng)460 nm，連續(xù)照射12小時(shí)。 　　結(jié)果表明50 molm-2s-1的補(bǔ)光強(qiáng)度下，兩種葉色小白菜具有最高的生物量和葉綠素含量?？寡趸煞郑╒c、類

基于MOVPE技術(shù)生長(zhǎng)GaN表面的原位相干X射線研究 In situ coherent x-ray studies of surface dynamics during OMVPE of GaN鞠光旭美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授 GuangxuJUAssistant Research Professor of Arizona State University, USA

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長(zhǎng)最新進(jìn)展及其未來挑戰(zhàn)

大連海洋大學(xué)海洋科技與環(huán)境學(xué)院院長(zhǎng)劉鷹分享了光對(duì)魚貝等水生生物生長(zhǎng)發(fā)育的影響機(jī)制主題報(bào)告

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長(zhǎng)與器件應(yīng)用展望”主題報(bào)告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢(shì)技術(shù)上來看，一個(gè)是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個(gè)芯片發(fā)展到這個(gè)階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來對(duì)芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)出來全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

山東大學(xué)教授陶緒堂做了晶體生長(zhǎng)和β-Ga2O3表征的最新進(jìn)展的報(bào)告，分享了在氧化鎵晶體生長(zhǎng)方面的研究實(shí)踐及成果。

山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王?，|做了高溫高壓?jiǎn)尉?shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)金剛石技術(shù)的介紹，分享了單晶金剛石生產(chǎn)技術(shù)方面的工作及成果。

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長(zhǎng)的報(bào)告，分享了其最新研究成果。

鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授單崇新介紹了高質(zhì)量金剛石的CVD生長(zhǎng)。金剛石是自然界產(chǎn)生的最堅(jiān)硬的一種材料，因?yàn)樗鼧O高的硬度，一直被當(dāng)做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有應(yīng)用，日常生活以及工業(yè)生產(chǎn)中都能用到金剛石。除了高硬度以外，金剛石還有很多其他獨(dú)特的特點(diǎn)，很適合當(dāng)做半導(dǎo)體材料，比如非常高的帶隙、電壓、非常高的熱傳導(dǎo)性等，這些特點(diǎn)使得金剛石一直被認(rèn)為是重要的，也是非常有潛力的下一代半導(dǎo)體器件的原料。把金剛石材料轉(zhuǎn)變成金剛石器件還有很長(zhǎng)的路要走，也需要很多高品質(zhì)的材料，這是非常基本的一步。

北京農(nóng)業(yè)智能裝備技術(shù)研究中心陳曉麗分享了“LED紅藍(lán)交替光對(duì)生菜生長(zhǎng)及品質(zhì)的影響”研究報(bào)告。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長(zhǎng)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報(bào)告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點(diǎn)，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個(gè)主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進(jìn)步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長(zhǎng)基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院北京畜牧獸醫(yī)研究所孫研研介紹了LED光譜對(duì)蛋雞生長(zhǎng)發(fā)育和繁殖性能的影響主題報(bào)告。

北京大學(xué)教授陳志忠介紹了基于納米圖案藍(lán)寶石襯底通過MOCVD生長(zhǎng)藍(lán)綠色LED。陳志忠表示，GaN基青光LED通過低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)得到。首先在成核層上進(jìn)行兩步法高溫生長(zhǎng)GaN模板，接著在模板上生長(zhǎng)青光LED，波長(zhǎng)為490nm。通......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！

中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司主任研究員胡建正分享了介紹了基于高產(chǎn)率MOCVD平臺(tái) - AMEC Prismo A7TM的氮鎵LED生長(zhǎng)研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件設(shè)計(jì)、性能及可靠性分析。主要參與進(jìn)行了中微第一代及第二代MOCVD的設(shè)計(jì)、工藝開發(fā)及...請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！