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Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長(zhǎng)

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長(zhǎng)難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

刷新紀(jì)錄！鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長(zhǎng)

南京工業(yè)大學(xué)先進(jìn)材料AM：界面誘導(dǎo)生長(zhǎng)法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究

重磅發(fā)布 | 2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

廣州南砂晶圓申請(qǐng)用于PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

鎵特半導(dǎo)體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利，能夠提升氮化鎵晶圓片生長(zhǎng)尺寸

采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長(zhǎng)的（001）β-Ga2O3外延層

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長(zhǎng)突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置專利，有利于生長(zhǎng)空間的穩(wěn)定性

鄭州勢(shì)壘取得用于金剛石生長(zhǎng)的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長(zhǎng)加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長(zhǎng)

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程公布

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)速率的測(cè)試方法”專利獲授權(quán)

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長(zhǎng)超厚6英寸氧化鎵單晶！

標(biāo)準(zhǔn) | 碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨等2項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

江蘇集芯申請(qǐng)大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長(zhǎng)速率相一致

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開工

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實(shí)現(xiàn)將源于生長(zhǎng)區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

晶盛機(jī)電：12英寸硅減壓外延生長(zhǎng)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗(yàn)證階段

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置”專利公布

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

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