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天岳先進：持續(xù)進行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長效率和質(zhì)量

昆明理工大學(xué)在溶液法生長高純3C-SiC晶體研究方面取得進展

電子科技大學(xué)氮化物寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長系統(tǒng)配件與制備耗材采購項目競爭性磋商采購公告

中科院物理所陳小龍團隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播

北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長研究

IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長

晶盛機電：公司碳化硅生長設(shè)備為自研自用

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進展

IFWS 2023│晶格領(lǐng)域張澤盛：液相法碳化硅單晶生長技術(shù)研究

IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體

IFWS 2023│中國科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長及深能級缺陷研究

IFWS 2023│中國科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

IFWS 2023│氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會召開

SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

IFWS 2023前瞻│碳化硅襯底、外延材料生長與加工分會日程出爐

IFWS 2023前瞻│氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會日程出爐

南京郵電大學(xué)張茂林：氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

天通股份：公司已掌握800公斤級C向藍(lán)寶石晶體的生長技術(shù)

晶盛機電：公司成功研發(fā)出具有國際先進水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)陳冉升:六方氮化硼薄膜生長及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的研究

簡述GaN 外延生長方法及生長模式

基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管

晶升股份擬1億元投建半導(dǎo)體晶體生長設(shè)備生產(chǎn)及實驗項目

國際領(lǐng)先！新一代SIC晶體生長用材料

中國半導(dǎo)體十大研究進展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高靈敏X-射線探測

國內(nèi)首家！廈門大學(xué)實現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

臺灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長！

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

IFWS：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)前沿研究

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