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  • 極智報(bào)告|河北半導(dǎo)體
    河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王晶晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評(píng)價(jià)的報(bào)告,結(jié)合相關(guān)的試驗(yàn)數(shù)據(jù),王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測(cè)試、以及利用MPCVD設(shè)備來(lái)進(jìn)行金剛石薄膜的沉積,利用輕等離子體處理的方法實(shí)現(xiàn)它的P型構(gòu)造,基于金剛石等材料來(lái)制作金剛石射頻器件等研究成果。
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  • 極智報(bào)告|北京大學(xué)東
    北京大學(xué)東莞光電研究院生物光環(huán)境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用主題報(bào)告。
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  • 極智報(bào)告|中科院微電
    中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報(bào)告。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示,超薄勢(shì)壘(UTB)AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)生長(zhǎng)的SiNx鈍化膜,有效地減少了超薄勢(shì)壘(UTB) Al0.22Ga0.78N(5nm)/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體(2DEG)的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出
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  • 極智報(bào)告|國(guó)家電網(wǎng)全
    所有的技術(shù)都有一個(gè)發(fā)展過(guò)程,尤其對(duì)于電網(wǎng)來(lái)說(shuō),它要求的高電壓大電流,它的可靠性要求三十年甚至四十年。國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用。其中對(duì)電網(wǎng)整體對(duì)材料的要求,材料部分的需求和裝備的國(guó)內(nèi)國(guó)際進(jìn)展進(jìn)行了細(xì)致介紹。他表示,預(yù)期到2025年左右,十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達(dá)到應(yīng)用水平,這樣的話就是直流輸電的話,靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平,到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達(dá)到應(yīng)用水平,這樣來(lái)說(shuō)對(duì)電網(wǎng)的預(yù)期是整
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  • 極智報(bào)告|南京電子器
    南京電子器件研究所黃潤(rùn)華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵點(diǎn)。他表示,未來(lái)的工作主要還是針對(duì)一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè),要實(shí)現(xiàn)一個(gè)產(chǎn)品化,目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求,未來(lái)就是為了降低電阻,提升我們的可靠性,還要進(jìn)行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬(wàn)伏,爭(zhēng)取到五千伏的時(shí)候推出一些產(chǎn)品。
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  • 極智報(bào)告|中國(guó)科學(xué)院
    該視頻為:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞,主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報(bào)告。
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  • 極智報(bào)告|中國(guó)農(nóng)業(yè)科
    中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院北京畜牧獸醫(yī)研究所孫研研介紹了LED光譜對(duì)蛋雞生長(zhǎng)發(fā)育和繁殖性能的影響主題報(bào)告。
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  • 極智報(bào)告|美國(guó)Wolfspe
    美國(guó)Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學(xué)家Jon ZHANG教授帶來(lái)“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報(bào)告。Jon ZHANG教授表示,功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)的重要組成部分,其決定了能量調(diào)節(jié)系統(tǒng)的效率、尺寸和成本。功率器件的進(jìn)步革新了電力電子系統(tǒng)。針對(duì)不同的應(yīng)用,如今的商業(yè)市場(chǎng)提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中,IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優(yōu)勢(shì),Si 功率器件正在接近他們的性能極限。
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  • 極智報(bào)告|中微胡建正
    中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司主任研究員胡建正分享了介紹了基于高產(chǎn)率MOCVD平臺(tái) - AMEC Prismo A7TM的氮鎵LED生長(zhǎng)研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件設(shè)計(jì)、性能及可靠性分析。主要參與進(jìn)行了中微第一代及第二代MOCVD的設(shè)計(jì)、工藝開發(fā)及...請(qǐng)您在WIFI條件下觀看!或下載極智APP收藏反復(fù)觀看!
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  • 極智報(bào)告|復(fù)旦大學(xué)教
    復(fù)旦大學(xué)林燕丹教授分享了主題為“教室內(nèi)間接照明對(duì)學(xué)生學(xué)習(xí)表現(xiàn)和情緒的影響研究”報(bào)告。她表示,健康照明是一個(gè)非常體系化的研究,不是靠一家單位做其中的一個(gè)研究它就可以得到一個(gè)結(jié)論和標(biāo)準(zhǔn),更多的是它需要通過(guò)全方位的聯(lián)合,逐個(gè)的解決其中很多的問(wèn)題,最終才........請(qǐng)您在WIFI條件下觀看!或下載極智APP收藏反復(fù)觀看!
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  • 極智報(bào)告|中科院蘇州
    中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所光健康中心董建飛研究員也分享了具有復(fù)雜動(dòng)態(tài)光伏窗遮陽(yáng)控制的建筑物的采光模擬與分析報(bào)告。他表示,光伏(PV)遮陽(yáng)系統(tǒng)將光伏材料與窗戶處理(百葉窗,百葉窗等)結(jié)合在一起,用于建筑環(huán)境中的能量平衡。光伏遮陽(yáng)系統(tǒng)在發(fā)電,照明控制,眩光保護(hù)等方面對(duì)建筑物有利。為了從窗戶區(qū)域收獲最大的太陽(yáng)能,在PV遮陽(yáng)元件中應(yīng)用太陽(yáng)能跟蹤,從而可以實(shí)時(shí)移動(dòng)和動(dòng)態(tài)采光,但是很難通過(guò)常規(guī)方法模擬這一操作。
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